Results for photocathodes translation from English to Finnish

compound semiconductor photocathodes
yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit.

gaas or gainas photocathodes;
gaas- tai gainas-valokatodit;

any of the following photocathodes:
jokin seuraavista valokatodeista:

b. gaas or gainas photocathodes; or
b. gaas- tai gainas-valokatodit; tai

other iii-v compound semiconductor photocathodes;
muut iii–v yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;

c. does not control equipment as follows, when incorporating other than gaas or gainas photocathodes:
c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin gaas- tai gainas-valokatodeja:

optical fibre plate, for use in the manufacture of screens and photocathodes for image intensifiers [1]
optinen kuitulevy, tarkoitettu kuvanvahvistimen kuvapintojen ja valokatodien valmistukseen [1]

s-20, s-25 or multialkali photocathodes with a luminous sensitivity exceeding 350 μa/lm;
s-20-, s-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden valoherkkyys ylittää 350 μa/lm;

note:6a002.c. does not control equipment as follows, when incorporating other than gaas or gainas photocathodes:
huom.:6a002.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin gaas- tai gainas-valokatodeja:

other "iii/v compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 ma/w;
muut "iii/v" yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi säteilynherkkyys on enemmän kuin 10 ma/w;

"iii-v compound" semiconductor (e.g., gaas or gainas) photocathodes and transferred electron photocathodes;
"iii-v-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten gaas- tai gainas-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;

note:6a002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 ma/w or less.
huom.:6a002.a.2.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 ma/w tai vähemmän.

"iii/v compound" semiconductor (e.g., gaas or gainas) photocathodes and transferred electron photocathodes;
"iii/v-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten gaas- tai gainas-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;

photocathode sensitivity
fotokatodiherkkyys