Results for arry translation from English to French

arry
arry

system architecture having parallel processor arry
architecture de systeme en tableau de processeurs a structure parallele

diode laser (6) mirror unit arry computer
d’essayer d’exploiter les technologies de pointe pour accroître l’efficacité de leurs forces désormais réduites.

- arry other relevant competent bodies within thisframework.
— tout autre organisme approprié dans ce cadre.

for more choices, see the list of accommodation available in the area arry.
pour un choix exhaustif, consultez la liste des hébergements disponibles sur ce lieu de villégiature arry.

multiplayer pillar arry capacitor structure for deep -sub-micron cmos
structure de condensateur a groupe de piliers multicouche, destinee a un cmos submicronique profond

agc anti biirs hydraulic systems were provid.ed, arry point for (fig.
les vérins d'équilibrage supérieurs sont montés dans les empoises du cylindre de soutien supérieur ; il y a en tout 8 vérins, groupés par deux :

accommodations in arry, france: b&b and hotels at low internet rates.
toutes nos offres de hôtels économique et hôtels de luxe à arry, france.

when c arry in g out detailed planning, environmental criteria should be part of the dec is io n-making proc ess.
lors de cette phase, l'équipe de gestion est c har gée d'élabor er un r apport circonstancié, visant à déceler et à minimiser tous les impacts prév isibles.

control circuitry is used for carrying out memory operations, including program circuitry for programming cells of the aray based upon a program input address and read circuitry for reading cells of the arry based upon a read input address
un circuit de commande permet d'effectuer des opérations en mémoire et comprend un circuit chargé de programmer des cellules de l'ensemble, en fonction d'une adrese d'entrée de programme, ainsi qu'un circuit chargé de lire des cellules de cet ensemble en fonction d'une adresse d'entrée de lecture

the laws and regulations under which these products are regulated and approved in canada already place this burden of proof upon producers of these technologies insofar as they require the pro duc ers o r pro pon en ts to c arry out th e te sts an d su bm it data from these tests dem onstrating that the pro ducts are safe.
À cet égard, le comité d’experts recommande que la charge de la preuve soit imposée à ceux qui proposent d’offrir des produits alimentaires issus de la bio tec hno logie , et qu e c eu x-c i soie nt ten us d ’effe ctue r la gamm e complète des tests nécessaires pour faire la démonstration fiable que c es produ its ne présen tent pas de risques inacc eptables.

a flash memory system having a reduced tendency to have its erased cells disturbed during read operations is disclosed. an array of flash memory cells (26) are arranged into a multiplicity of rows and columns, with all of the cells located in one of array rows having a control gate (22) connected to a common word line (wln) and with all of the cells in a column having a drain (16) connected to a common bit line (bln). control circuitry (28, 30, 32, 34 and 36) is used for carrying out memory operations, including program circuitry for programming cells of the aray based upon a program input address and read circuitry for reading cells of the arry based upon a read input address. the read circuitry functions to apply a read voltage to a selected one of the word lines (wln) of the array (26) as determined by the read input address. disturb limit circuitry (30) is used for limiting the time period that the read circuitry applies the read voltage to the selected one of the word lines.
ce système de mémoire flash présente, pendant des opérations de lecture, une tendance réduite à la perturbation de ses cellules effacées. un ensemble de cellules (26) de mémoire flash est disposé en rangées et colonnes et toutes les cellules disposées dans une des rangées de l'ensemble disposent d'une porte de commande (22) connectée à une ligne de mots (lm) commune, alors que toutes les cellules d'une colonne disposent d'un drain (16) connecté à une ligne binaire (lb) commune. un circuit de commande (28, 30, 32, 34, 36) permet d'effectuer des opérations en mémoire et comprend un circuit chargé de programmer des cellules de l'ensemble, en fonction d'une adrese d'entrée de programme, ainsi qu'un circuit chargé de lire des cellules de cet ensemble en fonction d'une adresse d'entrée de lecture. ce circuit de lecture permet d'appliquer une tension de lecture à une ligne de mots (lm) choisie dans l'ensemble (26) et déterminée par l'adresse d'entrée de lecture. un circuit (30) de limitation de perturbations limite la durée pendant laquelle le circuit de lecture applique la tension de lecture à la ligne de mots choisie.