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a method as claimed in claim 7 or claim 8, wherein the arsenosilicate glass layer lies over a metallisation layer.
procédé selon la revendication 7 ou la revendication 8, dans lequel la couche de verre d'arsénosilicate se trouve sur une couche de métallisation.
Last Update: 2014-12-04
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a method as claimed in any one of claims 7 to 11, the method further comprising the step of depositing a metallisation layer over the arsenosilicate glass.
procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, le procédé comprenant de plus l'étape consistant à déposer une couche de métallisation sur le verre d'arsénosilicate.
Last Update: 2014-12-04
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a method as claimed in claim 12, the method further comprising the step of depositing an additional layer of arsenosilicate glass over the metallisation layer recited in claim 12.
procédé selon la revendication 12, le procédé comprenant de plus l'étape consistant à déposer une couche supplémentaire en verre d'arsénosilicate sur la couche de métallisation énoncée dans la revendication 12.
Last Update: 2014-12-04
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a method as claimed in claim 1, characterized in that said dielectric capping layer is selected from the group consisting of: phosphosilicate glass; borosilicate glass, si w o x b y h z ; arsenosilicate glass, si w o x as y h z ; lead silicate glass, si w o x pb y h z ; silicon nitride, si x n y h z ; silicon oxynitride, si w n x o y h z ; fluorinated silicon nitride, si w n x f y h z ; and fluorinated silicon oxynitride, si v n w o x f y h z .
un procédé tel que revendiqué dans la revendication 1, caractérisé en ce que la couche protectrice diélectrique est sélectionnée d'un groupe comprenant: du verre de phosphosilicate; du verre de borosilicate, si w o x b y h z ; du verre d'arsenosilicate, si w o x as y h z ; du verre de silicate de plomb, si w o x pb y h z ; du nitryde de silicone, si w n x h z ; de l'oxynitryde de y silicone, si w n x o y h z ; du nitryde de silicone fluoré, si w n x f y h z , et de l'oxynitryde de silicone fluoré, si v n w o x f y h z .
Last Update: 2014-12-04
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