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a method according any of claims 9 to 14, characterized in that the pseudo-binary compound is deposited using evaporation.
procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisé en ce que le composé pseudo-binaire est déposé par vaporisation.
the heterojunction bipolar transistor of claim 9 or 10 wherein the emitter and collector are formed by means of a superlattice structure of two binary compound semiconductors.
transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 9 ou 10, dans lequel l'émetteur et le collecteur sont formés par le biais d'une structure en super-réseau de deux composés semiconducteurs binaires.
10 . . a component containing free boron, an organic borane or a binary compound of boron, except with oxygen [2]
10 . . un composant contenant du bore libre, un borane organique ou un composé binaire du bore, excepté avec l'oxygène[2]
penetration enhancement with binary system of cell envelope disordering compounds and lower alcohols
augmentation du pouvoir de pénétration au moyen d'un système binaire consistant en composées modifiant l'enveloppe cellulaire et en alcools à courte chaíne
process in accordance with any of the preceding claims, wherein two of said base materials are combined to form a binary compound before being deposited as one of said block layers.
procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel deux desdits matériaux de base sont combinés afin de former un composé binaire avant d'être déposé comme une desdites couches du bloc.
the compounds are two-strand duplex oligonucleobase compounds termed binary hybrid mutational vectors bhmv
ces composés sont des composés oligonucléobases duplex à deux brins dits vecteurs mutationels hybrides binaires (bhmv)
the thermally insulating layer 8 can for example be formed by a crystallized germanium, antimony and tellurium compound by any known type of thermal process such as momentary heating of the recording medium partially made of a binary compound such as gete.
la couche thermiquement isolante 8 peut, par exemple, être constituée par un composé de germanium, d'antimoine et de tellure cristallisé par tout type de procédé thermique connu tel qu'un chauffage momentané du support d'enregistrement partiellement réalisé ou à partir d'un composé binaire tel que gete.
a method according any of claims 9 to 15, characterized in that the layer of pseudo-binary compound is from 0.5 to 2.5 nm (5 to 25 angstroms) thick.
procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 15, caractérisé en ce que la couche de composé pseudo-binaire a une épaisseur de 0,5 à 2,5 nm (5 à 25 angströms).