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the higher average molecular weight of the fluent gas during the first deposition step provides some cusping over structures that define the gap to protect them during the etching step.
le poids moléculaire moyen le plus élevé du gaz fluent de la première étape de dépôt produit quelques pointes sur les structures qui définissent l'espace afin de les protéger durant l'étape de gravure.
the ion current prevents sticking of the deposited material to the field areas of the patterned substrate, or etches deposited material from the field areas to eliminate crowning or cusping problems associated with deposition of a conductive material in a trench, hole or via formed on the substrate
ce courant ionique empêche que la matière déposée ne colle au niveau de zones de champ du substrat doté de motifs, ou décape la matière déposée dans les zones de champ, ce qui permet de résoudre les problèmes de formation de surface bombée ou cuspidée qui se posent lorsqu'on forme un dépôt de matière conductrice dans une tranchée, un trou ou un via formé sur le substrat
the ion current prevents sticking of the deposited material to the field areas of the patterned substrate, or etches deposited material from the field areas to eliminate crowning or cusping problems associated with deposition of a conductive material in a trench, hole or via formed on the substrate.
ce courant ionique empêche que la matière déposée ne colle au niveau de zones de champ du substrat doté de motifs, ou décape la matière déposée dans les zones de champ, ce qui permet de résoudre les problèmes de formation de surface bombée ou cuspidée qui se posent lorsqu'on forme un dépôt de matière conductrice dans une tranchée, un trou ou un via formé sur le substrat.
the present invention provides a method and apparatus for preferential pvd conductor fill in an integrated circuit structure. the present invention utilizes a high density plasma for sputter deposition of a conductive layer on a patterned substrate, and a pulsed dc power source capacitively coupled to the substrate to generate an ion current at the surface of the substrate. the ion current prevents sticking of the deposited material to the field areas of the patterned substrate, or etches deposited material from the field areas to eliminate crowning or cusping problems associated with deposition of a conductive material in a trench, hole or via formed on the substrate.
la présente invention se rapporte à un procédé et à un appareil permettant un meilleur remplissage de conducteur par dépôt de vapeur physique (pvd) dans une structure de circuits intégrés. cette invention consiste à utiliser un plasma haute densité pour le dépôt par pulvérisation d'une couche conductrice sur un substrat doté de motifs, et une source pulsée d'énergie en courant continu couplée de manière capacitive au substrat de façon à générer un courant ionique à la surface du substrat. ce courant ionique empêche que la matière déposée ne colle au niveau de zones de champ du substrat doté de motifs, ou décape la matière déposée dans les zones de champ, ce qui permet de résoudre les problèmes de formation de surface bombée ou cuspidée qui se posent lorsqu'on forme un dépôt de matière conductrice dans une tranchée, un trou ou un via formé sur le substrat.