Results for everything layer aggregation translation from English to French

si layer aggregation suppression method, semiconductor device manufacturing method, and vacuum processing device
procÉdÉ de suppression d'agrÉgation de couche de si, procÉdÉ de fabrication de dispositif semi-conducteur, et dispositif de traitement sous vide

provided is an soi substrate si layer aggregation suppression method which can prevent aggregation of a si layer in a heating /temperature increase process when heating a si layer in an exposed state on the uppermost surface of an soi substrate and suppress the aggregation without forming a protection film on the soi substrate. the soi substrate si layer aggregation suppression method supplies a hydride gas in the heating/temperature increase process when heating the si layer in the exposed state on the soi substrate (27) formed by an insulation layer (32) and a si layer (33) which are successively layered on a si substrate (31). in this method, before aggregation of the si layer, the hydride is disaggregated at the temperature before the aggregation to terminate dangling bond (41) of the si layer by a predetermined atom such as h.
l'invention porte sur un procédé de suppression d'agrégation de couche de si de substrat silicium sur isolant (soi), qui peut empêcher l'agrégation d'une couche de si dans un processus d'augmentation de chauffage/température lors du chauffage d'une couche de si dans un état exposé sur la surface la plus haute d'un substrat soi, et qui peut supprimer l'agrégation sans former de film protecteur sur le substrat soi. le procédé de suppression d'agrégation de couche de si de substrat soi adresse un gaz hydride dans le processus d'augmentation de chauffage/température lors du chauffage de la couche de si à l'état exposé sur le substrat soi (27), formé d'une couche isolante (32) et d'une couche de si (33) qui sont successivement déposées en couche sur un substrat de si (31). dans ce procédé, avant agrégation de la couche de si, l'hydride est désagrégé à la température avant l'agrégation, pour terminer une liaison pendante (41) de la couche de si par un atome prédéterminé tel que h.