From professional translators, enterprises, web pages and freely available translation repositories.
the occluding device could also have different lattice densities for surfaces on the same radial plane
le dispositif d'occlusion peut également présenter diverses densités de maillage pour des surfaces situées sur un même plan radial
the occluding device could also have different lattice densities for surfaces on the same radial plane.
le dispositif d'occlusion pourrait aussi avoir différentes densités de réseau pour des surfaces situées dans le même plan radial.
method for manufacturing in−plane lattice constant adjusting substrate and in−plane lattice constant adjusting substrate
procede de fabrication d'un substrat ajustant la constante de reseau cristallin dans le plan et substrat ainsi obtenu
the orientation pattern of the selected lattice plane is computed, plotted on a lambert equal area, lower hemisphere projection.
le patron d'orientation du plan du réseau choisi est calculé, tracé sur un hémisphère inferieur projecté sur une surface uniforme lambert.
the ingot (22) is ϕ-rotated around its axis so as to put its predetermined crystal lattice plane vertical.
un étage de balayage (34) est déplacé dans la direction x, de sorte à amener la zone observée du lingot silicium (22) vers une position d'application de rayons x. le lingot (22) effectue une rotation o autour de son axe, de sorte à placer son plan de réseau cristallin prédéterminé de manière verticale.
for processing the dark field images to identify a plurality of crystal lattice planes associated with the crystals
servant à traiter les images à fond noir afin d'identifier une pluralité de plans de réseau cristallin associés aux cristaux
a method according to claim 2, wherein the particular lattice plane is designated by indices hkl, where h is an even number excluding zero, k is an even number including zero and l is zero.
procédé selon la revendication 2, où le plan de réseau particulier est désigné par les indices hkl, où h est un nombre pair excluant zéro, k est un nombre pair incluant zéro et l est zéro.
when a relation λ1 < λ2 is satisfied between first wavelength λ1 and second wavelength λ2, a relation λcosθ0 < λ1 is satisfied, assuming the incident angle to the lattice plane is θ0
lorsqu'une première longueur d'onde λ1 et une deuxième longueur d'onde λ2 satisfont à la relation λ1 < λ2, la relation λcosθ0 < λ1 est alors satisfaite, θ0 représentant l'angle d'incidence sur le plan du réseau
the bright pixels in each dark field image are identified and utilized to determine the spatial location and orientation of the crystal lattice planes and the crystals themselves
on identifie les pixels brillants dans chaque image à fond noir et on les utilise afin de déterminer l'emplacement et l'orientation dans l'espace des plans du réseau cristallin, ainsi que des cristaux eux-mêmes
the lattice planes of at least a part of the oxide semiconductor thin film layer have a preferred orientation along a direction perpendicular to a substrate of the semiconductor device and a lattice spacing doo2 of at least 2619a
les plans du réseau d'au moins une partie de cette couche mince semi-conductrice d'oxyde sont orientés de manière préférée dans une direction perpendiculaire à un substrat du dispositif à semi-conducteurs, et présentent un espacement de réseau (d002) d'au moins 2,619 å.
a carbonaceous anode material which has a true density of 1.65 to 1.85 g/cc, a content of hydrogen relative to carbon of 0.01 to 0.15 in terms of atomic ratio, a lattice plane spacing of the
une matière d'anode possédant une densité réelle de 1,65 à 1,85 g/cc, une teneur en hydrogène par rapport au carbone de 0,01 à 0,15 en termes de rapport atomique, un espacement de plan réticulaire du plan
average (ǻ) of spacings of { 111 } lattice planes at depths of 200nm or below from the surface of material
moyenne (ǻ) des pas des plans réticulaires { 111 } à des profondeurs de 200 nm ou au-dessous à partir de la surface de la matière.
spacing (ǻ) of { 111 } lattice planes at a depth of 500nm from the surface of material d < 200
pas (ǻ) des plans réticulaires { 111 } à une profondeur de 500 nm à partir de la surface du matériau d < 200
