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the system of claim i wherein said intermediate (10;20;22) has a resistivity of less than 1 megaohm.
système selon la revendication 1, dans lequel ledit intermédiaire (10 ; 20 ; 22) présente une résistivité inférieure à 1 mégohm.
cryostatic microtome according to claim 7, characterised in that the high-ohmic resistor manifests a resistance of at least 10 megaohm, preferably of 22 megaohm.
microtome à congélation selon la revendication 7, dans lequel la résistance à haute impédance présente une résistance d'au moins 10 megaohm de préférence de 22 megaohm.
in fig. 9 : 91 and 92 are high value resistors, for example 1 megaohm. 93 is a high value high voltage capacitor, such as 470 microfarads.
dans la figure 9 : 91 et 92 sont des résistances à grande valeur, par exemple 1 mégaohm ; 93 est un condensateur haute tension de forte valeur, par exemple 470 microfarad ; 94 est un transistor mosfet ; 95 est une diode zenner de 120 volts ; 96 est un potentiomètre d'ajustage du seuil ; 97 est un coupleur optique.
the method of claim 1 wherein the electrically conductive primer coating has an electrical resistance between points on its surface of less than 190 megaohms per inch (7,480.3 megaohms per meter)
la méthode de la revendication 1 dans laquelle la couche primaire électro-conductrice présente une résistance électrique entre points de sa surface inférieure à 190 mégohms par pouce (7480,3 mégohms par mètre)
