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the resist is removed from the unetched part of the upper surface of the cell by one or more standard processes.
la résine est retirée de la partie non-gravée de la surface supérieure de la cellule par un(des) procédé(s) usuel(s).
the unetched cylindrical portion of the silicon substrate forms the diaphragm support element and the thin silicon layer forms the diaphragm
la partie cylindrique non gravée du substrat de silicium forme l'élément de support de diaphragme et la couche de silicium mince forme le diaphragme
of the first dielectric material in each layer having the first dielectric material and leaving the second dielectric material as essentially unetched.
du premier matériau diélectrique dans chaque couche comprenant le premier matériau diélectrique, tout en laissant le second matériau diélectrique sensiblement intact.
the leads are comprised of a base lead portion formed in an unetched region and a fine pitch lead tip portion formed in an etched region on an electrically conductive material
les connexions comprennent des bases formées dans une zone non gravée, et des extrémités à pas réduit formées dans une zone gravée, sur un matériau conducteur d'électricité
the method comprises supporting the strands by the unetched sections of the mask over the support blade members and applying a tensile force to the strands to maintain uniform alignment of the strands
le procédé comprend les étapes consistant à placer en support les torons par l'intermédiaire des sections non tranchantes du masque sur les éléments lames de support et à appliquer un effort de traction sur les torons afin de maintenir un alignement uniforme des torons
etching one or more region on an electrically conductive substrate of a substantial uniform thickness to a fraction of the thickness of the unetched regions allows for the formation of fine pitch lead tips in the etched region
graver une ou plusieurs zones sur un substrat conducteur d'électricité d'épaisseur sensiblement uniforme jusqu'à parvenir à une fraction de l'épaisseur des régions non gravées permet de former des extrémités à pas réduit dans les régions gravées
a feature of the present invention is the forming of such second openings deeper than conventional second openings, having pads 3 protrude with respect to an unetched portion of first insulating layer 2 .
cette couche 5 résulte par exemple d'un dépôt conforme de silicium polycristallin suivi d'une gravure mécano-chimique de la partie du dépôt de silicium polycristallin recouvrant la face supérieure de la couche 4. on a formé ainsi une première électrode 5 d'un condensateur en contact électrique avec un substrat sous-jacent 1 par l'intermédiaire d'un plot conducteur 3.
a back plate having a back electrode formed thereon is adhered to the unetched peripheral portion of the inner surface of the monocrystalline layer to define a sealed space between the front and back electrodes which is filled with liquid crystal material.
une plaque postérieure, pourvue d'une électrode arrière, est collée à la partie périphérique non gravée de la surface interne de la couche monocristalline afin de définir un espace hermétiquement fermé, entre les électrodes avant et arrière, cet espace étant ensuite rempli par le matériau à cristaux liquides.
the resulting preform is then fused and drawn into an optical waveguide, where the pattern of etched and unetched holes may form, for example, the microstructure for a photonic bandgap optical fiber.
la préforme résultante est ensuite fondue et étirée en un guide d'ondes optique, dans lequel le motif de trous gravés et non gravés peut former, par exemple, la microstructure d'une fibre optique à bande interdite photonique.
through the first etching step and the second etching step, an area remaining unetched identical to the state of etching through a virtual etching mask (m1') can be formed on the surface
a travers la première étape et la seconde étape de gravure, une zone restant non gravée identique à l'état de gravure par l'intermédiaire d'un masque de gravure virtuel (m1') peut être formée sur la surface
a method includes masking and etching channels through the silicon substrate layer in a pattern of concentric circles to form a concentric circular etched channels and cylindrical unetched portions of the silicon substrate layer between the channels, exposing the silicon dioxide in the etched regions, and dissolving the exposed silicon dioxide to expose the crystalline silicon layer in the etched regions
un procédé consiste à masquer et graver des canaux à travers la couche de substrat de silicium selon un motif de cercles concentriques pour former des canaux gravés circulaires concentriques et des parties non gravées cylindriques de la couche de substrat de silicium entre les canaux, exposer le dioxyde de silicium dans les régions gravées et dissoudre le dioxyde de silicium exposé pour exposer la couche de silicium cristallin dans les régions gravées
a mechanical-chemical polishing process, conventional in microelectronics, eliminates nickel film zones 3 vertically in line with the unetched sio 2 zones ( fig. 8d ).
un procédé de polissage mécano-chimique, classique en microélectronique, permet de supprimer les zones de film 3 de nickel à l'aplomb des zones de sio 2 non gravées (figure 8d) .
