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273) to write lines of each column.
273) à des lignes d'enregistrement de chaque colonne.
Last Update: 2014-12-04
Usage Frequency: 2
Quality:
mram memories utilizing magnetic write lines
memoires vives magnetiques utilisant des lignes d'ecriture
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
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mram array with segmented magnetic write lines
batterie de memoire mram a lignes d'ecriture magnetique segmentees
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
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these write lines are driven on one end by drivers
ces lignes d'écriture sont attaquées par des pilotes à une de leurs extrémités
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
magnetic random access memory array with global write lines
mémoire magnétique à accès aléatoire comportant des lignes d'écriture globales
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
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segmented write line architecture
architecture de ligne d'ecriture segmentee
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
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writing occurs by write lines along rows and columns of the array
l'écriture se fait par lignes d'écriture le long des rangées et colonnes de la batterie
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
magnetic random access memory array with thin conduction electrical read and write lines
matrice de points de mémoires magnétiques à accès aléatoire avec lignes conductices électriques minces de lecture et d'éctriture
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
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mram cells having magnetic write lines with a stable magnetic state at the end regions
cellules mram ayant des lignes d'ecriture magnetiques avec un etat magnetique stable au niveau des zones d'extremite
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
Quality:
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do not write line numbers for errors.
do not write line numbers for errors.
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
an embedded dram architecture with local data drivers and programmable number of data read and data write lines
architecture de memoire ram dynamique integree avec commandes de donnees locales, et nombre de lignes de donnees de lecture et d'ecriture programmables
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:
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a pair of loop-shaped write lines (6xn), (6yn) constitutes four parallel portions
a cet effet, une paire de lignes d'écriture en forme de boucle (6xn, 6yn) constitue quatre parties parallèles
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
a pair of loop-shaped write lines (6xn), (6yn) constitutes four parallel portions.
a cet effet, une paire de lignes d'écriture en forme de boucle (6xn, 6yn) constitue quatre parties parallèles.
Last Update: 2014-12-03
Usage Frequency: 1
Quality:
the plurality of magnetic biasing structures coupled to the plurality of end regions of the plurality of magnetic write lines.
la pluralité de structures de polarisation magnétiques est couplée à la pluralité de zones d'extrémité de la pluralité de lignes d'écriture magnétiques.
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
the second write line has a top and at least one side
la deuxième ligne d'écriture présente un partie supérieure et au moins une partie latérale
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
self-aligned magnetic clad write line and method thereof
ligne d'ecriture auto-alignee a enveloppe magnetique et son procede
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:
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the second write line is oriented at an angle to the first write line
la deuxième ligne d'écriture est orientée à une inclinaison par rapport à la première ligne d'écriture
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line
procede et systeme fournissant une memoire magnetique ayant une ligne d'ecriture enroulee
Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:
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at least a portion of the second write line is covered by an insulating layer
au moins une portion de la deuxième ligne d'écriture est recouverte d'une couche isolante
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
only the memory cells in selected segment get a high hard axis fieldgenerated by a write line current
uniquement les cellules de mémoire situées dans des segments sélectionnés obtiennent un champ à axe difficile élevé généré par un courant de la ligne d'écriture
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality: