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273) to write lines of each column.

French

273) à des lignes d'enregistrement de chaque colonne.

Last Update: 2014-12-04
Usage Frequency: 2
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English

mram memories utilizing magnetic write lines

French

memoires vives magnetiques utilisant des lignes d'ecriture

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

mram array with segmented magnetic write lines

French

batterie de memoire mram a lignes d'ecriture magnetique segmentees

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

these write lines are driven on one end by drivers

French

ces lignes d'écriture sont attaquées par des pilotes à une de leurs extrémités

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

magnetic random access memory array with global write lines

French

mémoire magnétique à accès aléatoire comportant des lignes d'écriture globales

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
Quality:

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English

segmented write line architecture

French

architecture de ligne d'ecriture segmentee

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

writing occurs by write lines along rows and columns of the array

French

l'écriture se fait par lignes d'écriture le long des rangées et colonnes de la batterie

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

magnetic random access memory array with thin conduction electrical read and write lines

French

matrice de points de mémoires magnétiques à accès aléatoire avec lignes conductices électriques minces de lecture et d'éctriture

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
Quality:

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English

mram cells having magnetic write lines with a stable magnetic state at the end regions

French

cellules mram ayant des lignes d'ecriture magnetiques avec un etat magnetique stable au niveau des zones d'extremite

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 3
Quality:

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English

do not write line numbers for errors.

French

do not write line numbers for errors.

Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:

English

an embedded dram architecture with local data drivers and programmable number of data read and data write lines

French

architecture de memoire ram dynamique integree avec commandes de donnees locales, et nombre de lignes de donnees de lecture et d'ecriture programmables

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

a pair of loop-shaped write lines (6xn), (6yn) constitutes four parallel portions

French

a cet effet, une paire de lignes d'écriture en forme de boucle (6xn, 6yn) constitue quatre parties parallèles

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

a pair of loop-shaped write lines (6xn), (6yn) constitutes four parallel portions.

French

a cet effet, une paire de lignes d'écriture en forme de boucle (6xn, 6yn) constitue quatre parties parallèles.

Last Update: 2014-12-03
Usage Frequency: 1
Quality:

English

the plurality of magnetic biasing structures coupled to the plurality of end regions of the plurality of magnetic write lines.

French

la pluralité de structures de polarisation magnétiques est couplée à la pluralité de zones d'extrémité de la pluralité de lignes d'écriture magnétiques.

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

the second write line has a top and at least one side

French

la deuxième ligne d'écriture présente un partie supérieure et au moins une partie latérale

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

self-aligned magnetic clad write line and method thereof

French

ligne d'ecriture auto-alignee a enveloppe magnetique et son procede

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

the second write line is oriented at an angle to the first write line

French

la deuxième ligne d'écriture est orientée à une inclinaison par rapport à la première ligne d'écriture

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

method and system for providing a magnetic memory having a wrapped write line

French

procede et systeme fournissant une memoire magnetique ayant une ligne d'ecriture enroulee

Last Update: 2014-11-25
Usage Frequency: 4
Quality:

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English

at least a portion of the second write line is covered by an insulating layer

French

au moins une portion de la deuxième ligne d'écriture est recouverte d'une couche isolante

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

English

only the memory cells in selected segment get a high hard axis fieldgenerated by a write line current

French

uniquement les cellules de mémoire situées dans des segments sélectionnés obtiennent un champ à axe difficile élevé généré par un courant de la ligne d'écriture

Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:

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