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etch rate control
Ätzratensteuerung
Last Update: 2014-11-28
Usage Frequency: 2
Quality:
chlorofluorocarbon additives for enhancing etch rates in fluorinated halocarbon/oxidant plasmas.
erhöhung der Ätzgewschwindigkeit in fluorierten halogenkohlenstoff oxydierenden plasmas mit chlorfluorierten kohlenstoffhaltigen zusätzen.
selectivity, anisotropy and etch rates can be controlled through the process chemistry (gases) and process parameters (rf-power, pressure, gas flow, substrate cooling etc.).
selektivität, anisotropie und Ätzrate sind durch “prozess-chemie“ (gase) und prozessparameter (rf-leistung, druck, gasfluss, substrat-kühlung, usw. ) einstellbar.