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the undercoating composition for photolithographic resist as claimed in claim 1 which further comprises 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone in an amount not exceeding 80% by weight based on the total amount of the components (a1) and (b).
grundbeschichtungszusammensetzung für photolithographischen resist nach anspruch 1, die ferner 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenon in einer menge von höchstens 80 gew.-%, bezogen auf die gesamtmenge an den bestandteilen (a1) und (b), enthält.
Last Update: 2014-12-05
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