Results for compound semiconductor translation from English to Greek

compound semiconductor
ημιαγώγιμη χημική ένωση

compound semiconductor photocathodes
σύνθετες ημιαγωγικές φωτοκαθόδους.

ternary-compound semiconductor
τριμερής ημιαγωγός χημικής ένωσης

semiconductor
ημιαγωγός

element-analogue compound semiconductor
ημιαγωγός χημικής ένωσης ανάλογος με στοιχειακό ημιαγωγό

binary-compound-semiconductor system
σύστημα ημιαγωγού με δυαδική ένωση

other iii-v compound semiconductor photocathodes;
Άλλες φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών iii-v.

semiconductor compounds
ημιαγώγιμες ενώσεις

storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό.

"iii-v compound" semiconductor (e.g., gaas or gainas) photocathodes and transferred electron photocathodes;
Φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών "iii-v" (π.χ. gaas ή gainas) και φωτοκάθοδοι μεταφερόμενων ηλεκτρονίων,

note:6a002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 ma/w or less.
Σημείωση:Στο σημείο 6Α002.α.2.β.3. δεν υπάγονται οι φωτοκάθοδοι σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 15 mΑ/w ή λιγότερο.

note: 6a002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 ma/w or less.
Σημείωση: Το σημείο 6Α002.α.2.α.3.γ. δεν έχει εφαρμογή στις φωτοκαθόδους σύνθετων ημιαγωγών με μέγιστη ευαισθησία ακτινοβολίας 10 mΑ/w ή λιγότερο.

metal organic chemical vapour deposition (mocvd) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3c003 or 3c004;
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟcvd), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3c003 ή 3c004,

"microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 mhz;
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 mhz.

digital integrated circuits, other than those described in 3a001.a.3. to 3a001.a.10. and 3a001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :

monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, inductances, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor or compound semiconductor material (for example, doped silicon, gallium arsenide, silicon germanium, indium phosphide) and are inseparably associated;
τα ολοκληρωμένα μονολιθικά κυκλώματα μέσα στα οποία τα στοιχεία κυκλώματος (δίοδοι, κρυσταλλολυχνίες, αντιστάσεις, πυκνωτές, διασυνδέσεις κ.λπ.) δημιουργούνται στη μάζα (κυρίως) και στην επιφάνεια ενός υλικού ημιαγωγού (π.χ., ενισχυμένου πυριτίου, αρσενικούχου γαλλίου, γερμανίου πυριτίου, φωσφιδίου του ινδίου), που σχηματίζουν ένα αδιάσπαστο σύνολο·