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circuit intégré à semi-conducteurs, comportant un substrat semi-conducteur (sub) et au moins une première barre de potentiel (p1) à laquelle s'applique, lors du fonctionnement, un premier potentiel d'alimentation (vss) du circuit à semi-conducteurs, au moins une seconde barre de potentiel (p2) à laquelle s'applique, lors du fonctionnement, un second potentiel d'alimentation (vcc) du circuit à semi-conducteurs, au moins une première partie de circuit (ckt-i) destinée à la réception et au traitement de signaux d'entrée (in), au moins une seconde partie de circuit (ckt-o) dans laquelle, lors du fonctionnement du circuit à semi-conducteurs, au moins un signal de sortie (out) du circuit à semi-conducteurs est formé, et un dispositif de protection contre des surtensions, dispositif qui comporte, à chaque borne (pi) destinée à un conducteur (li) amenant un des signaux d'entrée (in), un premier circuit de protection (padin), qui est prévu entre la borne (pi) considérée et une première partie de circuit (ckt-i) correspondante et qui a les caractéristiques suivantes : un transistor à oxyde de champ (fox) et une diode commandée par champ (zvt) sont montés, électriquement en parallèle, entre le conducteur (li) amenant le signal d'entrée (in) et la première barre de potentiel (p1), la grille du transistor à oxyde de champ (fox) étant reliée au conducteur (li), la commande par champ de la diode (zvt) s'effectuant par l'intermédiaire de la première barre de potentiel (p1), et le transistor à oxyde de champ (fox) et la diode commandée par champ (zvt) étant reliés électriquement au conducteur (li) amenant le signal d'entrée (in) en différents points (x, y) de ce conducteur (li), le conducteur (li) amenant le signal d'entrée (in) comprend entre les deux points (x, y) une résistance à diffusion (rdif), pour chaque transistor à oxyde de champ (fox), il est prévu respectivement, en dessous de la zone de source (s) et en dessous de la zone de drain (d), une zone en forme de cuvette (s-well) et une zone en forme de cuvette (d-well) qui sont à distance l'une de l'autre et qui sont du même type de conductivité que la zone de source (s) et que la zone de drain (d), caractérisé par le fait que le dispositif de protection comporte les autres caractéristiques suivantes : à chaque borne (po) destinée à un conducteur (lo) pour un signal de sortie (out), il est raccordé par l'intermédiaire d'un conducteur supplémentaire (lo1) un second circuit de protection (padout) qui comporte également un transistor à oxyde de champ (fox), une diode commandée par champ (zvt) et une résistance à diffusion (rdif) qui sont disposés par rapport au conducteur supplémentaire (lo1) et à la première barre de potentiel (p1) exactement comme le transistor à oxyde de champ (fox), la diode commandée par champ (zvt) et la résistance à diffusion (rdif) d'un des premiers circuits de protection (padin) par rapport au conducteur (li) amenant le signal d'entrée (in) et à la première barre de potentiel (p1), et qui comporte également des zones en forme de cuvettes (s-well, d-well) comme un des premiers circuits de protection (padin), au moins l'une des barres de potentiel (p1 ; p2) se trouve en dessous de zones dans lesquelles au moins l'un des circuits de protection (padin, padout) lui est adjacent, par une structure de protection (vss-well; vcc-well) qui est conçue en forme de cuvette dans le substrat (sub) et qui est reliée de manière électriquement conductrice à la barre de potentiel (p1 ; p2).
integrated semiconductor circuit having a semiconductor substrate (sub), having at least one first busbar (p1), which carries a first supply potential (vss) of the semiconductor circuit during operation, having at least one second busbar (p2), which carries a second supply potential (vcc) of the semiconductor circuit during operation, having at least one first circuit section (ckt-i) for receiving and processing input signals (in), having at least one second circuit section (ckt-o), in which at least one output signal (out) of the semiconductor circuit is produced during operation of the semiconductor circuit, and having a protective arrangement against overvoltages, which contains a first protective circuit (padin) for each terminal (pi) for a line (li) carrying one of the input signals (in), which protective circuit is arranged between the respective terminal (pi) and a respective first circuit section (ckt-i) and which has the following features: a field oxide transistor (fox) and a field-controlled diode (zvt) are arranged electrically in parallel with one another between the line (li) which carries the input signal (in) and the first busbar (p1), the gate of the field oxide transistor (fox) being connected to the line (li), the field control of the diode (zvt) being carried out via the first busbar (p1), and the field oxide transistor (fox) and the field-controlled diode (zvt) being electrically connected to the line (li) which carries the input signal (in) at different points (x, y) of the said line, the line (li) which carries the input signal (in) contains a diffusion resistor (r dif ) between the two points (x, y), in the case of the field oxide transistor (fox), a respective well region (s-well, d-well) is formed below the source region (s) and below the drain region (d), the said well regions being formed at a distance from one another and both being of the same conduction type as the source and the drain region (s, d), characterized in that the protective arrangement contains the following further features: for each terminal (po) for a line (lo) which carries a respective output signal (out), there is connected, by means of an additional line (lo1), a second protective circuit (padout), which likewise contains a field oxide transistor (fox), a field-controlled diode (zvt) and a diffusion resistor (r dif ) which are arranged with regard to the additional line (lo1) and the first busbar (p1) in exactly the same way as the field oxide transistor (fox), field-controlled diode (zvt) and diffusion resistor (r dif ) of one of the first protective circuits (padin) are arranged with regard to the relevant line (li) which carries the input signal (in) and the first busbar (p1), and which likewise has corresponding well regions (s-well, d-well) like one of the first protective circuits (padin), at least one of the busbars (p1; p2), in regions where at least one of the protective circuits (padin, padout) is adjacent to it, has a protective structure (vss-well; vcc-well) laid under it, which protective structure is formed as a well in the substrate (sub) and is electrically conductively connected to the respective busbar (p1; p2).