Results for drb translation from French to German

50 et la séquence de drb est la séquence seq id no.
no. 50 und drb die sequenz id. no.

procede et kit de genotypification de hla-drb fondes sur la reaction de la polymerase en chaine en temps reel
verfahren und kit zur genotypisierung von hla-drb auf echtzeit-pcr-basis

dispositif d'amplificateur de détection pour un circuit de mémoire intégrée comprenant, pour chacun d'une pluralité d'amplificateurs de détection : un circuit de verrouillage d'amplificateur de détection (100) comprenant une paire de noeuds de verrouillage (102, 104 ; ou 158, 160) auxquels des lignes de bits respectives (220, 222 ; 224, 226) sont couplées ; un amplificateur de lecture de colonne locale (150, 152, 154, 156) réactivement couplé aux noeuds de verrouillage du circuit de verrouillage d'amplificateur de détection, et émettant au moins un signal de lecture de données (dr, drb) ; un circuit de commande d'écriture de données locale (128, 130 ; ou 132, 134) couplé pour recevoir des données d'écriture de réception (dw, dwb) au cours d'une opération d'écriture à l'électrode grille d'un premier transistor (128, 130, 132, 134) dans ledit circuit de commande d'écriture de données et pour appliquer un signal basé sur la réception desdites données d'écriture à l'un desdits noeuds de verrouillage (102, 104 ; ou 158, 160) ; ledit premier transistor (130, 134) étant couplé entre une tension d'alimentation électrique (vss) et l'un desdits noeuds de verrouillage (104 ou 158) ; un transistor de chute (122 ou 124) est relié entre ledit circuit de commande d'écriture de données locale (128, 130 ; ou 132, 134) et ledit un noeud de verrouillage (102, 104 ; ou 158, 160), ledit transistor de chute (122 ou 124) étant contrôlé par un signal de contrôle d'écriture (yw) moyennant quoi ledit circuit de commande d'écriture de données locale (128, 130 ; ou 132, 134) est capable d'appliquer, à la réception desdites données d'écriture, un signal au dit un noeud de verrouillage (102, 104 ; ou 158, 160) au travers dudit transistor de chute (122 ou 124) ; caractérisé en ce que : l'amplificateur de lecture de colonne locale (150, 152, 154, 156) est relié directement au circuit de verrouillage d'amplificateur de détection (100) ; ledit circuit de commande d'écriture de données locale comprenant également un second transistor (128, 132) relié entre une autre tension d'alimentation électrique (vcc) et ledit un noeud de verrouillage (104 ou 158), ledit second transistor étant réactivement couplé à un signal d'écriture de données (dw) complémentaire.
leseverstärkeranordnung für eine integrierte speicherschaltung, umfassend für jeden von einer mehrzahl von leseverstärkern: eine leseverstärker-verriegelungsschaltung (100) mit einem paar von verriegelungsknoten (102,104; oder 158, 160), an die entsprechende bitleitungen (220, 222; 224, 226) gekoppelt sind; einen lokalen spaltenleseverstärker (150, 152, 154, 156), der reagierend mit den verriegelungsknoten der leseverstärker-verriegelungsschaltung gekoppelt ist und zumindest ein datenlesesignal (dr, drb) ausgibt; eine lokale datenschreibtreiberschaltung (128, 130; oder 132, 134), die dazu gekoppelt ist, während einer schreiboperation schreibdaten (dw oder dwb) an einer gate-elektrode eines ersten transistors (128, 130, 132, 134) in der datenschreibtreiberschaltung zu empfangen und auf basis des empfangs der schreibdaten ein signal an einem der verriegelungsknoten (102, 104; oder 158, 160) anzulegen; wobei der erste transistor (130; 134) zwischen einer netzspannung (vss) und einem der verriegelungsknoten (104 oder 158) gekoppelt ist; und ein pass-transistor (122 oder 124) zwischen der lokalen datenschreibtreiberschaltung (128, 130; oder 132, 134) und dem einen verriegelungsknoten (102, 104; oder 158, 160) eingeschaltet ist, wobei der pass-transistor (122 oder 124) durch ein schreibsteuersignal (yw) gesteuert wird, wodurch die lokale datenschreibtreiberschaltung (128, 130; oder 132, 134) in der lage ist, nach dem empfang der schreibdaten durch den pass-transistor (122 oder 124) ein signal an dem einen verriegelungsknoten (102, 104; oder 158, 160) anzulegen; dadurch gekennzeichnet, dass der lokale spaltenleseverstärker (150, 152, 154, 156) direkt mit der leseverstärker-verriegelungsschaltung (100) verbunden ist; wobei die lokale datenschreibtreiberschaltung weiters einen zweiten, zwischen einer weiteren netzspannung (vcc) und dem einen verriegelungsknoten (104 oder 158) eingeschalteten transistor (128; 132) umfasst, wobei der zweite transistor reagierend mit einem komplementären datenschreibsignal (dw) gekoppelt ist.