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transistor bipolaire a heterojonction avec large bande interdite et jonction emetteur-base a faible interdiffusion$i()
heterÜbergang-bipolartransistor mit grossem bandabstand und emitter-basis Übergang mit niedrigem interdiffusion
procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite interdiffusion est réalisée à une température d'interdiffusion suffisamment haute pour permettre la diffusion d'éléments v et suffisamment basse pour éviter celle des éléments iii.
verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die interdiffusion bei einer interdiffusionstemperatur durchgeführt wird, die hoch genug ist, um die diffusion von v-elementen zu ermöglichen, und die niedrig genug ist, um die der iii-elemente zu vermeiden.
aimant permanent suivant l'une des revendications 1 à 3 ou 7 à 10, dans lequel une couche d'interdiffusion est produite entre le corps de l'aimant et le film anti-corrosif de revêtement.
permanentmagnet nach einem der ansprüche 1 bis 3 oder 7 bis 10, bei dem eine interdiffusionsschicht zwischen dem magnetmaterialkörper und der antikorrosionsüberzugsfilmschicht angeordnet ist.