Results for sdb translation from French to German

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amplificateur de détection destiné à être utilisé dans un dispositif de mémoire à semiconducteurs, comprenant : une première ligne de données (da) vers laquelle est émis un premier signal de données ; une seconde ligne de données (db) vers laquelle est émis un second signal de données, complémentaire du premier signal de données ; une unité d'amplificateur de détection ayant un premier circuit amplificateur (11, 12) pour fournir un premier signal amplifié obtenu en amplifiant le premier signal de données (sda) et un second circuit amplificateur (15, 16) pour fournir un second signal amplifié obtenu en amplifiant le second signal de données (sdb) ; un premier circuit de commutation pilotant l'amplificateur de détection (19), commandé par un signal de validation de l'amplificateur de détection (en) et activé afin de piloter ledit premier circuit amplificateur (11, 12), et un second circuit de commutation pilotant l'amplificateur de détection (20), commandé par le signal de validation de l'amplificateur de détection (en) et activé afin de piloter ledit second circuit amplificateur (15, 16) ; dans lequel ledit premier circuit amplificateur (11, 12) comprend un premier circuit de commutation d'un premier type de conduction (11) et un premier circuit résistant (12), ledit premier circuit de commutation ayant une première électrode connectée électriquement à ladite première ligne de données (da), une seconde électrode connectée électriquement à une seconde électrode dudit premier circuit résistant par un premier noeud (na), et une troisième électrode connectée électriquement à un second noeud (nb), ledit second circuit amplificateur (15, 16) comprend un quatrième circuit de commutation de premier type de conduction (15) et un second circuit résistant (16), ledit quatrième circuit de commutation (15) ayant une première électrode connectée électriquement à ladite seconde ligne de données (db), une seconde électrode connectée électriquement à une seconde électrode dudit second circuit résistant (16) par le second noeud (nb), et une troisième électrode connectée électriquement au premier noeud (na), ledit premier circuit de commutation pilotant l'amplificateur de détection (19) est d'un second type de conduction et a une première électrode connectée électriquement à un potentiel de masse, et une seconde électrode connectée électriquement au troisième noeud (nc), et ledit second circuit de commutation pilotant l'amplificateur de détection (20) est d'un second type de conduction et a une première électrode connectée électriquement au potentiel de masse, et une seconde électrode connectée électriquement au quatrième noeud (nd), caractérisé par un premier circuit inverseur (13, 14) pour inverser le premier signal amplifié et ainsi fournir un premier signal inversé sur une première borne de sortie (outa) ; un second circuit inverseur (17, 18) pour inverser le second signal amplifié et ainsi fournir un second signal inversé sur une seconde borne de sortie (outb) ; ledit premier circuit inverseur (13, 14) comprenant un second circuit de commutation de premier type de conduction (13) et un troisième circuit de commutation de second type de conduction (14), ledit second circuit de commutation (13) ayant une première électrode connectée électriquement à ladite seconde ligne de données (db) ou à ladite première ligne de données (da), une seconde électrode connectée électriquement à la première borne de sortie (outa), et une troisième électrode connectée électriquement au premier noeud (na), ledit troisième circuit de commutation (14) ayant une première électrode connectée électriquement à une première électrode dudit premier circuit résistant (12) par un troisième noeud (nc), une seconde électrode connectée électriquement à la première borne de sortie (outa), et une troisième électrode connectée électriquement au premier noeud (na), ledit second circuit inverseur (17, 18) comprenant un cinquième circuit de commutation de premier type de conduction (17) et un sixième circuit de commutation de second type de conduction (18), ledit cinquième circuit de commutation (17) ayant une première électrode connectée électriquement à ladite première ligne de données (da) ou à ladite seconde ligne de données (db), une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne de sortie (outb), et une troisième électrode connectée électriquement au second noeud (nb), ledit sixième circuit de commutation (18) ayant une première électrode connectée électriquement à une première électrode dudit second circuit résistant (16) par un quatrième noeud (nd), une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne de sortie (outb), et une troisième électrode connectée électriquement au second noeud (nb).
leseverstärker zur verwendung in einer halbleiterspeichervorrichtung, welcher folgendes aufweist: eine erste datenleitung (da), zu welcher ein erstes datensignal gesendet wird; eine zweite datenleitung (db), zu welcher ein zweites datensignal, das komplementär zum ersten datensignal ist, gesendet wird; eine leseverstärkereinheit mit einer ersten verstärkerschaltung (11, 12) zum ausgeben eines ersten verstärkten signals, das durch verstärken des ersten datensignals (sda) erhalten wird, und einer zweiten verstärkerschaltung (15, 16) zum ausgeben eines zweiten verstärkten signals, das durch verstärken des zweiten datensignals (sdb) erhalten wird; eine erste leseverstärker-treiberumschaltschaltung (19), die durch ein leseverstärker-freigabesignal (en) gesteuert wird und aktiviert wird, um die erste verstärkerschaltung (11, 12) anzutreiben, und eine zweite leseverstärker-treiberumschalterschaltung (20), die durch das leseverstärker-freigabesignal (en) gesteuert wird und aktiviert wird, um die zweite verstärkerschaltung (15, 16) anzutreiben; wobei die erste verstärkerschaltung (11, 12) eine erste umschaltschaltung (11 ) von einem ersten leitungstyp und eine erste widerstandsschaltung (12) aufweist, wobei die erste umschaltschaltung eine erste elektrode hat, die elektrisch an die erste datenleitung (da) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an eine zweite elektrode der ersten widerstandsschaltung über einen ersten knoten (na) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an einen zweiten knoten (nb) angeschlossen ist, die zweite verstärkerschaltung (15, 16) eine vierte umschaltschaltung (15) von einem ersten leitungstyp und eine zweite widerstandsschaltung (16) aufweist, wobei die vierte umschaltschaltung (15) eine erste elektrode hat, die elektrisch an die zweite datenleitung (db) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an eine zweite elektrode der zweiten widerstandsschaltung (16) über den zweiten knoten (nb) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an den ersten knoten (na) angeschlossen ist, die erste leseverstärker-treiberumschaltschaltung (19) von einem zweiten leitungstyp ist und eine erste elektrode hat, die elektrisch auf ein erdpotential gelegt ist, und eine zweite elektrode, die elektrisch an den dritten knoten (nc) angeschlossen ist, und die zweite leseverstärker-treiberumschaltschaltung (20) von einem zweiten leitungstyp ist und eine erste elektrode hat, die elektrisch auf das erdpotential gelegt ist, und eine zweite elektrode, die elektrisch an den vierten knoten (nd) angeschlossen ist, gekennzeichnet durch eine erste inverterschaltung (13, 14) zum invertieren des ersten verstärkten signals, um dadurch ein erstes invertiertes signal von einem ersten ausgangsanschluss (outa) auszugeben, eine zweite inverterschaltung (17, 18) zum invertieren des zweiten verstärkten signals, um dadurch ein zweites invertiertes signal von einem zweiten ausgangsanschluss (outb) auszugeben, wobei die erste inverterschaltung (13, 14) eine zweite umschaltschaltung (13) vom ersten leitungstyp und eine dritte umschaltschaltung (14) vom zweiten leitungstyp aufweist, wobei die zweite umschaltschaltung (13) eine erste elektrode hat, die elektrisch an die zweite datenleitung (db) oder an die erste datenleitung (da) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an den ersten ausgangsanschluss (outa) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an den ersten knoten (na) angeschlossen ist, wobei die dritte umschaltschaltung (14) eine erste elektrode hat, die elektrisch an eine erste elektrode der ersten widerstandsschaltung (12) über einen dritten knoten (nc) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an den ersten ausgangsanschluss (outa) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an den ersten knoten (na) angeschlossen ist, wobei die zweite inverterschaltung (17, 18) eine fünfte umschaltschaltung (17) vom ersten leitungstyp und eine sechste umschaltschaltung (18) vom zweiten leitungstyp aufweist, wobei die fünfte umschaltschaltung (17) eine erste elektrode hat, die elektrisch an die erste datenleitung (da) oder an die zweite datenleitung (db) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an den zweiten ausgangsanschluss (outb) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an den zweiten knoten (nb) angeschlossen ist, wobei die sechste umschaltschaltung (18) eine erste elektrode hat, die elektrisch an eine erste elektrode der zweiten widerstandsschaltung (16) über einen vierten knoten (nd) angeschlossen ist, eine zweite elektrode, die elektrisch an den zweiten ausgangsanschluss (outb) angeschlossen ist, und eine dritte elektrode, die elektrisch an den zweiten knoten (nb) angeschlossen ist.