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- 48 t) as-ri stance juridique et services de comeil aux citcyens
48 t) rechtsberatung und buroerhilfe

h a no i, a é t é p r op i ce à un d i a l o g ue franc en t r e les p a rt en a i r e s eu r op é en s e t as i a t i que s s u r un la r g e é v en ta il de s u j e t s d
v e r z ö g e r un g en au f g r und de r un te rs c h i e d l i c h en

générateur de faisceau d'électrons à semiconducteur selon la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel ledit générateur à faisceau d'électrons à semiconducteur est situé sur un substrat (22 ; 401) en gaas de type n ou n⁺, sur un substrat (26 ; 421) en gaas semi-isolant, ou sur un substrat (201 ; 601 ; 630) en si, ladite région d'émetteur (2 ; 32 ; 208 ; 402 ; 608 ; 646) est une couche de al x ga 1-x ga de type n (0<x<1) ayant une première bande interdite ; ladite région de base (6 ; 35 ; 210 ; 405 ; 610 ; 650) est une couche de al z ga 1-z ga de type p (0<z<x) ayant une seconde bande interdite ; et ladite région de collecteur (8 ; 64 ; 211 ; 406 ; 611 ; 652) est une couche de al t ga 1-t as de type n (0<t<1).
festkörper-elektronenstrahlerzeuger nach anspruch 1, 2 oder 3, wobei der erwähnte festkörper-elektronenstrahlerzeuger auf einem n- oder n⁺-leitenden gaas-substrat (22; 401), einem halbisolierenden gaas-substrat (26; 421) oder einem si-substrat (201; 601; 630) bereitgestellt ist, die erwähnte emitterzone (2; 32; 208; 402; 608; 646) eine n-leitende al x ga 1-x ga-schicht (0<x<1) ist, die einen ersten bandabstand hat; die erwähnte basiszone (6; 35; 210; 405; 610; 650) eine p-leitende al z ga 1-z as-schicht (0<z<x) ist, die einen zweiten bandabstand hat; und die erwähnte kollektorzone (8; 64; 211; 406; 611; 652) eine n-leitende al t ga 1-t as-schicht (0<t<1) ist.