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dispositif de mémoire à semiconducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que chacun desdits éléments de mémoire programmable (tr₁ - tr₁₆, f₁ - f₁₆) est constitué par un élément de mémoire rom à fusibles.
halbleiterspeichervorrichtung nach anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der programmierbaren speicherelemente (tr₁ - tr₁₆, f₁ - f₁₆) ein sicherungs-rom-element enthält.