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bei den hohen arbeitstemperaturen des diffusionsverfahrens können die fremdatome den ihrer elektrischen aktivität entsprechenden thermodynamisch korrekten gitterplatz erreichen.
de aanwezigheid van de verontreinigingen in andere vorm, b.v. in de vorm van neerslag, beïnvloedt sterk, maar niet zoals gewild, de elektronische processen in halfgeleiders.
bei der herstellung von halbleiterbauelementen wird eine vorgegebene menge elektrisch aktiver fremdatome in einen halbleiter (z.b. silizium) eingebaut.
zoals men weet bestaat de vervaardiging van elektronische vaste stofmaterialen erin een bepaalde hoeveelheid elektrisch actieve verontreinigingen in een halfgeleider (b.v. silicium) aan te brengen.
d- > Χ, d für die nutzung der elektrischen eigenschaften der dotierten schicht bestehen ideale bedingungen, wenn die fremdatome reguläre gitterplätze in einem nahezu fehlerfreien kristall einnehmen.
met het oog op de benutting van de elektrische eigenschappen van de „in-