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verfahren zur zÜchtung von ii-vi halbleiterwerkstoff in bulkform
method for growing a solid type ii-vi semiconductor material
Last Update: 2014-11-28
Usage Frequency: 2
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sie nutzen die eigenschaft von halbleiterwerkstoff, dass sich der werkstoffwiderstand verringert, wenn er beleuchtet wird. durch den einfluss der lichtenergie lösen sich dabei elektronen aus ihren bindungen.
they make use of a semiconductors characteristic that the material resistance is reduced if the semiconductor material is illuminated/lit up. during the illumination of the material electrons free themselves from their connections through the influence of the energy of light.
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
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in den randschichten der kontaktflächen der beiden halbleiterwerkstoffe vollzieht sich eine elektronenwanderung oder auch elektronendiffusion (von lat.: diffundere = eindringen).
in the contact zones of the two semiconductor materials an electron migration or electron diffusion is taking place (latin: diffundere = penetrating).
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
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