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metallorganische chemische aufdampfung und atomische schichtablagerung von metalloxynitrid und metallsiliziumoxynitrid
depot chimique en phase vapeur organometallique et depot en couches atomiques d'oxynitrure metallique et d'oxynitrure de silicium metallique
verfahren nach anspruch 24, bei dem die physikalische aufdampfung mittels ionplating erfolgt.
procédé suivant la revendication 24, dans lequel le dépôt en phase gazeuse par procédé physique est effectué par placage ionique.
verfahren und vorrichtung zum transport von halbleiterplättchen in einem vertikalen diffusionsapparat mit chemischer aufdampfung
procédé et dispositif de transfert de plaquettes semi-conductrices dans un appareil vertical de diffusion à dépôt de vapeur chimique
verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitermaterialbeschichtung nach der aufdampfung dotiert wird.
procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement de la matière semi-conductrice est dopé après le dépôt.
kapillarbonderwerkzeug nach anspruch 1, wobei die beschichtung (220) mittels aufdampfung gebildet wird.
un outil de fixation capillaire selon la revendication 1, dans lequel le revêtement (220) est formé par dépôt en phase vapeur.
verfahren nach anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische aufdampfung eine widerstandsheizungs-aufdampfung ist.
procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le dépôt physique en phase vapeurs est un dépôt en phase vapeur à chauffage par résistance.
diamantsubstrat nach anspruch 3, worin der polykristalline diamtantfilm ein film ist, der durch chemische aufdampfung gebildet wird.
substrat en diamant selon la revendication 3, dans lequel le film de diamant polycristallin est un film formé par dépôt chimique en phase vapeur.
verfahren oder prozess nach anspruch 17, wobei die metallventilkomponenten eine beschichtung aufweisen, die durch aufdampfung aufgebracht wurde.
méthode ou procédé selon la revendication 17, dans laquelle ou dans lequel les composants de la valve métallique comportent un revêtement appliqué par dépôt en phase vapeur.
verfahren zur verbesserung des wachstums von halbpolarem (al, in, ga, b)n Über metallorganische chemische aufdampfung
procede destine a ameliorer la formation d'un film (al, in,ga,b)n semi-polaire par depot chimique en phase vapeur organometallique
leiter nach einem der vorhergehenden ansprüche, wobei der film, der den leitenden festen kohlenstoff enthält, mittels aufdampfung ausgebildet ist.
conducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit film contenant le carbone dur conducteur est formé par dépôt en phase vapeur.
diamantsubstrat nach anspruch 1, worin das isolierende material ein material ist, welches dazu imstande ist, einen film durch die aufdampfung zu bilden.
substrat en diamant selon la revendication 1, dans lequel la matière isolante est une matière qui est apte à former un film par dépôt en phase vapeur.