Results for coms coms translation from German to French

coms-coms
comsi-comsa

coms-1 und -2
coms-1 et -2

coms lassen sich mit konventionellen schwerölpumpen zum brenner befördern, jedoch tritt wegen des feststoffgehalts verstärkter abrieb auf.
les com peuvent être transportés au brûleur par des pompes à huile lourde conventionnelles, mais avec une abrasion plus forte due à la teneur en matière solide.

versuche, die absetzneigung durch mikrofeinaufmahlung zu verringern, brachten bei den coms höhere viskosität, bzw. höheren Ölanteil.
les tentatives visant à atténuer la tendance à la décantation par un broyage micro-fin ont entraîné une plus grande viscosité des com ou une proportion d'huile plus élevée.

elektronischer schalter für eine niederspannungsversorgungsschaltung, die auf einem in coms-technologie ausgelegten halbleitersubstrat integriert ist und mindestens einen ersten und einen zweiten verbindungsanschluß (a, b) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß er einen ersten und einen zweiten transistor aufweist, jeweils mit einem ersten und einem zweiten anschluß sowie einem steueranschluß, und eingefügt als serienschaltung mit ihren ersten und zweiten anschlüssen zwischen dem ersten und dem zweiten verbindungsanschluß, und einen dritten und einen vierten transistor aufweist, jeweils mit einem ersten und einem zweiten anschluß sowie einem steueranschluß und vom komplementären typ bezüglich dem ersten und dem zweiten transistor, sowie in serienschaltung mit ihren ersten und zweiten anschlüssen eingefügt zwischen den ersten und den zweiten verbindungsanschluß, und daß er einen fünften und einen sechsten transistor vom gleichen typ wie der dritte bzw. der erste transistor aufweist, jeweils mit einem ersten und einem zweiten anschluß sowie einem steueranschluß, wobei der fünfte transistor mit dem ersten und dem zweiten anschluß zwischen eine erste potentialquelle (vdd) und einen ersten schaltungsknoten, der den ersten und den zweiten transistor verbindet, eingefügt ist, und der sechste transistor mit dem ersten und dem zweiten anschluß eingefügt ist zwischen einen zweiten schaltungsknoten, der den dritten und den vierten transistor verbindet, und eine zweite potentialquelle (vss), und dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der dritte transistor substrate aufweisen, die mit dem ersten verbindungsanschluß gekoppelt sind, und der zweite und der vierte transistor substrate aufweisen, die mit dem zweiten verbindungsanschluß gekoppelt sind, und der fünfte und der sechste transistor substrate aufweisen, die mit der ersten bzw. der zweiten potentialquelle gekoppelt sind.
commutateur électronique pour un circuit d'alimentation basse tension intégré sur un substrat semiconducteur avec la technologie cmos et présentant au moins des première (a) et seconde (b) bornes de connexion caractérisé en ce qu'il comporte des premier et second transistors ayant chacun des première et seconde bornes et une borne de commande, et qui sont insérés en série mutuelle chacun avec ses propres première et seconde bornes entre lesdites première et seconde bornes de connexion, et des troisième et quatrième transistors (m3) ayant chacun des première et seconde bornes et une borne de commande,qui sont d'un type complémentaire à celui des premier et second transistors, et sont insérés en série mutuelle chacun avec ses propres première et seconde bornes entre lesdites première et seconde bornes de connexion, et en ce qu'il comporte des cinquième et sixième transistors respectivement du même type que les troisième et premier transistors et ayant chacun des première et seconde bornes et une borne de commande, le cinquième transistor étant inséré au moyen des première et seconde bornes entre une première référence de potentiel (vdd) et un premier noeud de circuit pour la connexion entre les premier et second transistors, et le sixième transistor étant inséré au moyen des première et seconde bornes entre un second noeud de circuit pour la connexion entre les troisième et quatrième transistors et une seconde référence de potentiel (vss), et caractérisé en ce que les premier et troisième transistors ont des substrats connectés à ladite première borne de connexion, et les second et quatrième transistors ont des substrats connectés à la seconde borne de connexion, et les cinquième et sixième transistors ont des substrats connectés respectivement à la première et à la seconde référence de potentiel.