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halbleiterlasereinrichtung nach anspruch 1 in der form einer grin-sch-sqw-halbleiterlasereinrichtung.
dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il est sous la forme d'un dispositif laser à semi-conducteur du type grin-sch-sqw (à gradient d'indice, à hétérostructure à confinement séparé et à un seul puits quantique).
verfahren zum verbinden einer optischen faser mit einer grin-linse sowie verfahren zur herstellung optischer filtermodule und verfahrensgemÄss hergestellte filtermodule
procede destine a relier une fibre optique a une microlentille focalisante, procede de fabrication de modules de filtre optique et modules de filtre correspondants
verfahren nach anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als linsenfeld ein 1:1 abbildendes grin-linsenfeld vorgesehen ist.
procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que , comme réseau de lentilles, un réseau de lentilles de reproduction grin 1:1 est utilisé.
