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halbleitersensor
capteur semiconducteur

halbleitersensor.
capteur a semi-conducteurs.

chemischer halbleitersensor
dispositif capteur chimique à semi-conducteur

geschichteter halbleitersensor mit Überdruckschutz
capteur lamellé à semi-conducteur avec protection contre la surpression

gehäuse mit befestigungseinsatz für halbleitersensor
boîtier semi-conducteur à capteur, muni d'un insert de fixation

halbleitersensor und plattierungsverfahren fÜr ein halbleiterbauelement
detecteur a semi-conducteur et procede de plaquage pour dispositif semi-conducteur

halbleitersensor und methode zu dessen herstellung
capteur semi-conducteur et son procédé de formation

halbleitersensor mit grosser bandlÜcke und isolierender deckschicht
capteur a semi-conducteurs a large ecart energetique presentant une couche superieure isolante

halbleitersensor mit einem grundkÖrper und wenigstens einem verformungskÖrper
capteur a semi-conducteur pourvu d'un corps de base et d'au moins un corps deformable

halbleitersensor unter verwendung von oberflächenplasmonen zur erhöhung der energieabsorption
capteur à semiconducteur utilisant les plasmons de surface pour augmenter l'efficaité d'absorption énergétique

kapazitiver halbleitersensor mit gelenkig verbundener membran für ebene bewegung
capteur capacitif à semi-conducteur avec diaphragme articulé pour mouvement plan

halbleitersensor mit einer pixelstruktur sowie verwendung des sensors in einem vakuumsystem
capteur a semi-conducteur pourvu d'une structure a pixels, et utilisation de ce capteur dans un systeme a vide

kapazitiver halbleitersensor zur messung der physischen grÖsse und verfahren zur herstellung desselben
capteur de quantite physique a semi-conducteur capacitif et procede pour le fabriquer

ein gerät nach anspruch 5, worin der halbleitersensor aus sno₂ und zno hergestellt wird.
un appareil selon la revendication 5, dans lequel le dispositif de capteurs semi-conducteurs est constitué de sno₂ et de zno.

kapazitiver halbleitersensor gemäß anspruch 1, bei dem die zwischenschicht (411g) aus glas besteht.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: ladite couche intermédiaire est en verre (411g).

kapazitiver halbleitersensor gemäß anspruch 1, bei dem die zwischenschicht (511g) aus aluminium besteht.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: ladite couche intermédiaire est en aluminium (511g).

halbleitersensor nach anspruch 1, bei dem die zwischenplatte aus glas und die erste sowie die zweite platte aus silizium gefertigt sind.
capteur à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la plaque intermédiaire est constituée de verre, et la première et la seconde plaques sont constituées de silicium.

halbleitersensor nach anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mehreren elastischen träger von der masse aus in radialer richtung verlaufen.
capteur à semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la pluralité de supports élastiques s'étend radialement à partir de la masse.

halbleitersensor nach einem der ansprüche 1 bis 5, bei dem die zweite platte einen hohlraum aufweist und die masse in dem hohlraum angeordnet ist.
capteur à semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la seconde plaque possède une cavité, et la masse est agencée dans la cavité.

kapazitiver halbleitersensor gemäß, anspruch 1, bei dem das dickenverhältnis der zentralen zone zum gelenk (411a) zehn zu eins beträgt.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: le rapport de l'épaisseur de ladite région centrale par rapport à l'épaisseur de ladite articulation (411a) est de dix pour un.