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halbleiterspeicherbauelement
composant a semi-conducteur

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement
dispositif de mémoire non-volatile à semi-conducteur

halbleiterspeicherbauelement und verfahren
systeme et procede destines a un dispositif a memoire 2f?2

halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
dispositif de mémoire à semi-conducteur et son procédé de fabrication

halbleiterspeicherbauelement, - system und zugriffsverfahren
dispositif de mémoire semi-conductrice, son utilisation dans un système et procédé d'accès

halbleiterspeicherbauelement und herstellungsverfahren für halbleiterbauelement
dispositif de mémoire à semi-conducteur et procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur

nichtflüchtige halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
dispositif de mémoire semi-conductrice non-volatile et son procédé de fabrication

halbleiterelement und das dieses verwendende halbleiterspeicherbauelement
elément semi-conducteur et dispositif de mémoire semi-conductrice l'utilisant

halbleiterspeicherbauelement mit speicherzellen, logikbereichen und fÜllstrukturen
composant de memoire a semiconducteurs comportant des cellules memoires, des zones logiques et des structures de remplissage

halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsweise
dispositif de mémoire à semi-conducteur, son procédé de fabrication et sa méthode de commande

halbleiterspeicherbauelement mit schwebendem körper und herstellungsverfahren desselben
dispositif semi-conducteur de mémoire à corps flottant et son procédé de fabrication

halbleiterspeicherbauelement und verfahren zu herstellung und betrieb davon
dispositif de mémoire à semi-conducteurs et son procédé de fabrication et de fonctionnement

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsart
dispositif de mémoire non-volatile à semi-conducteur, son procédé de fabrication et sa méthode d'opération

charge-trapping-halbleiterspeicherbauelement mit ladungshaftstellen-speicherzellen
mémoire semi-conductrice ayant des cellules de mémoire à piégeage de charges

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, welches die anforderungen an dessen spannungsfestigkeit verringert
mémoire non-volatile à semi-conducteur qui facilite les conditions de rigidité diélectrique

halbleiterspeicherbauelement nach anspruch 1, wobei die brückenkonfiguration eine mram zelle aufweist.
composant mémoire à semi-conducteur suivant la revendication 1, dans lequel la configuration en pont comprend une cellule mram.

halbleiterspeicherbauelement für digital- und analogspeicheranwendungen mit ein-mosfet-speicherzellen.
mémoire à semiconducteur pour l'application dans des mémoires numériques et analogues utilisant des cellules de mémoire à un seul mosfet.

halbleiterspeicherbauelement nach anspruch 1, wobei die brückenkonfiguration vier individuelle mram zellen aufweist.
composant mémoire à semi-conducteur suivant la revendication 1, dans lequel la configuration en pont comprend quatre cellules mram individuelles.

halbleiterspeicherbauelement nach anspruch 1, wobei die redundante speicherzelle eine einzelne individuelle speicherzelle aufweist.
composant mémoire suivant la revendication 1, dans lequel la cellule de mémorisation redondante comprend une cellule de mémoire individuelle unique.

resistives halbleiterspeicherbauelement gemäß anspruch 14, wobei die saatschicht (136) wn aufweist.
dispositif de mémoire à semiconducteur résistif suivant la revendication 14, dans lequel la couche (136) de germe comprend du wn.