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nella diffusione termica tutto dipende dal grado di purezza dei materiali usati; ad es., impurezze residue sul monocristallo diffondono unitamente agli atomi droganti.
die dotierung ist durch zwei hauptmerkmale gekennzeichnet:
una casistica estremamente vasta è disponibile a livello di laboratorio sull' impiantazione di centri luminescenti in gap e znte e di droganti in gaas, inas, insb, cds, cdte, znte e sic.
— zahlreiche auf den eigenschaften dieser materialien beruhende schwierigkeiten können bei der anwendung des herkömmlichen diffusionsverfahrens nicht überwunden werden.
-circuiti integrati monolitici | fabbricazione in cui: -il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 40 % del prezzo franco fabbrica del prodotto, e-entro il predetto limite, il valore di tutti i materiali delle voci 8541 e 8542 utilizzati non ecceda il 10 % del prezzo franco fabbrica del prodottoo operazione di diffusione durante la quale i circuiti integrati sono formati su di un substrato semiconduttore attraverso l'introduzione selettiva di un drogante appropriato, anche se assemblati e/o testati in un paese non menzionato negli articoli 3 e 4 | fabbricazione in cui il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 25 % del prezzo franco fabbrica del prodotto |
des ab-werk-preises der hergestellten ware nicht überschreitetoder das verfahren der diffusion (bei dem durch selektives aufbringen eines geeigneten dotierungsstoffes auf ein halbleitersubstrat integrierte schaltungen gebildet werden), auch wenn der zusammenbau und/oder das testen in einem in artikel 3 nicht genannten land stattfinden | herstellen, bei dem der wert aller verwendeten vormaterialien 25 v.
