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arséniure
arseniuro

arséniure de cobalt
arseniuro de cobalto

arséniure d'aluminium
arseniuro de aluminio

arséniure de gallium-indium
arsenio de galio-indio

lasers à arséniure de gallium
dispositivo láser semiconductor de arseniuro de galio

photopile à l'arséniure de gallium
fotopila de arseniuro de galio

filtre optique à arséniure de gallium
filtro óptico de arseniuro de galio

semiconducteur à base d'arséniure de gallium
semiconductor fabricado con arseniuro de galio

convertisseur à diode d'arséniure de gallium
conversores con diodos mezcladores de arseniuro de galio

bande interdite de l'arséniure d'aluminium
banda prohibida del arseniuro de aluminio

filtre optique à arséniure de gallium semi-isolant
filtro óptico de arseniuro de galio semiaislante

b. > à l'arséniure d'indium (asin);
b. "conjuntos de plano focal " de arseniuro de indio (inas);

mobilité de l'électron dans l'arséniure de gallium
movilidad electrónica del arseniuro de galio

alliage quaternaire phosphure arséniure d'indium et de gallium
aleación cuaternaria: fosfuro de arsénico, indio y galio

mobilité de l'électron dans l'arséniure d'indium
movilidad de los electrones del arseniuro de indio

gainas (photocathodes à l'arséniure de gallium-indium)
fuentes de alimentación magnéticas (de corriente continua) de gran intensidad

d. > à l'arséniure de gallium et d'indium (asgain).
d. "conjuntos de plano focal " de arseniuro de galio e indio (ingaas).

mots­clés: systèmes cellulaires numériques; technolog e à arséniure de gallium; télécommunications mobiles
el segundo es un amplificador de potencia de 2 fases para unidades portátiles gsm clase 4 (2 w, 890 ­ 950 mhz) que funciona con una alimentación de 5 v, con variantes de 3 v en desarrollo.

les premiers circuits intégrés amplificateurs de puissance, utilisant la technologie arséniure de gallium, ont été conçus, fabriqués et sont désormais commercialisés.
se han proyectado y fabricado los primeros circuitos integrados comerciales amplificadores de potencia utilizando tecnología gaas, que ofrecen considerables ventajas de rendimiento en comparación con dispositivos de silicio equiparables en los procesadores centrales de radiofrecuencia (rf front­ends) de los sistemas de telefonía celular digital de comunicaciones personales) en la frecuencia de 1,8 ghz y otro para un sistema

dans le cadre du projet 1128, wacker­semitronic a développé des tranches d'arséniure de gallium uniformes de 3" et 4".
en el proyecto 1128, wacker­semitronic ha desarrollado obleas unifor­mes de asga de 3 y 4 pulgadas.