Usted buscó: prefuse (Inglés - Francés)

in the sound universe of senbeï, we could meet amon tobin, björk, prefuse 73, dj...
dans l’univers sonore de senbeï, on pourrait croiser amon tobin, björk,...

a memory test system comprising a memory chip (1) and a test device (8) external to the memory chip (1), said memory chip (1) being provided with self-controlled fuse blowing and comprising: (a) a memory cell array (2) with a plurality of memory cells which are addressable by means of wordlines (wl) and bitlines (bl), wherein said memory cell array (2) has redundant memory cells for repairing faulty memory cells; (b) a test unit (4) for detecting faulty memory cells in the memory cell array (2); (c) a diagnose unit (5) for storing the addresses of the faulty memory cells detected in the memory cell array (2) ; (d) a repair unit (6) which calculates a memory repair solution on the basis of the stored addresses, wherein the repair unit (6) sends a failed memory signal to said external tester (8) when no sufficient memory repair solution for repairing the memory cell array (2) is calculated, wherein the calculated memory repair solution comprises numbers of input/output units (19) of the memory cell array (2) which are to be replaced by redundant input/output units (22) and numbers of wordlines of the memory cell array (2) which are to be replaced by redundant wordlines, (e) a fuse blowing interface (7) having (e1) a latch register (28) for latching a sufficient memory repair solution calculated by said repair unit (6) when a prefuse request signal is received from said external tester device (8); (e2) a fuse blowing unit (29) with electrical fuses (44) which are blown sequentially according to the bit data pattern of the calculated memory repair solution when a blow request signal is received from said external tester device (8); and (e3) a multiplexer (36) which applies the output of the latch register (28) within the fuse blowing interface (7) to the memory cell array (2) in a first mode when the prefuse request signal is received from said external tester device (8) and which applies the output of the fuse blowing unit (29) within the fuse blowing interface (7) to the memory cell array (2) in a second mode when the blow request signal has been received from the external tester device (8), (f) wherein said external tester device (8) in case that a sufficient repair solution is calculated by said repair unit (6) is adapted selectively to send a prefuse request signal via a first control line (9) to said fuse blowing interface (7) when a prefuse is desired or to send a blow request signal via a second control line (10) to said fuse blowing interface (7) when a direct blow is desired, without sending a prefuse request signal.
système de test de mémoire comprenant une puce de mémoire (1) et un dispositif de test (8) externe à la puce de mémoire (1), ladite puce de mémoire (1) étant munie d'un claquage de fusible auto-commandé et comprenant : (a) une matrice de cellules de mémoire (2) avec une pluralité des cellules de mémoire qui sont adressables au moyen de lignes de mots (wl) et de lignes de bits (bl), dans lequel ladite matrice de cellules de mémoire (2) possède des cellules de mémoire redondantes pour réparer des cellules de mémoire défectueuses ; (b) une unité de test (4) pour détecter des cellules de mémoire défectueuses dans la matrice de cellules de mémoire (2) ; (c) une unité de diagnostic (5) pour stocker les adresses des cellules de mémoire défectueuses détectées dans la matrice de cellules de mémoire (2) ; (d) une unité de réparation (6) qui calcule une solution de réparation de mémoire sur la base des adresses stockées, dans lequel l'unité de réparation (6) envoie un signal de mémoire défaillante audit dispositif de contrôle externe (8) quand aucune solution de réparation de mémoire suffisante pour réparer la matrice de cellules de mémoire (2) n'est calculée, dans laquelle la solution de réparation de mémoire calculée comprend des numéros d'unités d'entrée / sortie (19) de la matrice de cellules de mémoire (2) qui doivent être remplacées par des unités d'entrée / sortie redondantes (22) et des numéros de lignes de mots de la matrice de cellules de mémoire (2) qui doivent être remplacées par des lignes de mots redondantes, (e) une interface de claquage de fusible (7) ayant (e1) un registre de verrouillage (28) pour verrouiller une solution de réparation de mémoire suffisante calculée par ladite unité de réparation (6) quand un signal de demande de pré-claquage est reçu en provenance dudit dispositif de contrôle externe (8) ; (e2) une unité de claquage de fusible (29) avec des fusibles électriques (44) qui sont claqués de manière séquentielle selon la combinaison de données de bit de la solution de réparation de mémoire calculée quand un signal de demande de claquage est reçu en provenance dudit dispositif de contrôle externe (8) ; et (e3) un multiplexeur (36) qui applique la sortie du registre de verrouillage (28) à l'intérieur de l'interface de claquage de fusible (7) à la matrice de cellules de mémoire (2) dans un premier mode lorsque le signal de demande de pré-claquage est reçu en provenance dudit dispositif de contrôle externe (8) et qui applique la sortie de l'unité de claquage de fusible (29) à l'intérieur de l'interface de claquage de fusible (7) à la matrice de cellules de mémoire (2) dans un second mode quand le signal de demande de claquage a été reçu en provenance du dispositif de contrôle externe (8), (f) dans lequel ledit dispositif de contrôle externe (8) dans le cas où une solution de réparation suffisante est calculée par ladite unité de réparation (6) est conçu pour envoyer de manière sélective un signal de demande de pré-claquage par l'intermédiaire d'une première ligne de commande (9) à ladite interface de claquage de fusible (7) quand un pré-claquage est souhaité ou pour envoyer un signal de demande de claquage par l'intermédiaire d'une seconde ligne de commande (10) à ladite interface de claquage de fusible (7) quand un claquage direct est souhaité, sans envoyer de signal de demande de pré-claquage.