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halbleitersubstrat mit festphasen-epitaxialneuwachstum mit verringerter tiefe des dotierungsprofils und herstellungsverfahren dafÜr
a semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same
mos-speicherzelle mit einem exponentiellen dotierungsprofil und mit versetztem tunneloxid des schwebenden gates.
mos memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation.
