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gateoxid

Anglais

interlevel oxide

Dernière mise à jour : 2014-11-14
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

ausgangstreiber mit transistoren mit dünnen gateoxid

Anglais

thin gate oxide output driver

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

gateoxid mit mehrfacher dicke, hergestellt durch sauerstoffimplantation

Anglais

multiple-thickness gate oxide formed by oxygen implantation

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren für einen cmos mit zweifachem gateoxid und zweifacher austrittsarbeit

Anglais

method for dual gate oxide dual workfunction cmos

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

nicht flüchtige 3,5 transistor speicherzelle mit gateoxid-durchbruch

Anglais

3.5 transistor non-volatile memory cell using gate breakdown phenomena

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

ein dreifach-gateoxid-verfahren für ein gate mit hoher dielektrizitätskonstante

Anglais

a triple gate oxide process with high-gate dielectric

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

betriebsverfahren für eeprom-speicherzellen mit transistoren mit dünnen gateoxid und reduzierten störungen

Anglais

method of operating eeprom memory cells having transistors with thin gate oxide and reduced disturb

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

programmierverfahren für rom-speicher unter verwendung der mos-technologie mit dünnen gateoxid und mit Übergängen.

Anglais

rom memory programming procedure using mos technology with thin gate oxide and junctions.

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

ein zweifach-gateoxid-verfahren mit reduzierter thermischer redistribution der kanal-implantation der dünnoxid-transistoren

Anglais

a dual gate oxide process with reduced thermal redistribution of thin-gate channel implant profiles due to thick-gate oxyde

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

anordnung zum prÜfen eines gateoxids

Anglais

arrangement for testing a gate oxide

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

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