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betriebsverfahren für eeprom-speicherzellen mit transistoren mit dünnen gateoxid und reduzierten störungen
method of operating eeprom memory cells having transistors with thin gate oxide and reduced disturb
programmierverfahren für rom-speicher unter verwendung der mos-technologie mit dünnen gateoxid und mit Übergängen.
rom memory programming procedure using mos technology with thin gate oxide and junctions.
ein zweifach-gateoxid-verfahren mit reduzierter thermischer redistribution der kanal-implantation der dünnoxid-transistoren
a dual gate oxide process with reduced thermal redistribution of thin-gate channel implant profiles due to thick-gate oxyde