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halbleiterschichten

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Allemand

verbessertes abscheidungsverfahren von halbleiterschichten

Anglais

improved process for deposition of semiconductor films

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Allemand

verfahren zur herstellung von halbleiterschichten

Anglais

method for producing semiconductor layers

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Allemand

tiegel zur flüssigphasenepitaxie von halbleiterschichten.

Anglais

vessel for the liquid-phase epitaxy of semiconductor films.

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Allemand

apparat der photoelektrische halbleiterschichten benutzt

Anglais

apparatus using semi-conducting photo-electric surfaces

Dernière mise à jour : 2014-11-14
Fréquence d'utilisation : 5
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

herstellungsverfahren von nanoporÖsen metalloxid-halbleiterschichten

Anglais

process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren zum gitterangepassten aufwachsen von halbleiterschichten

Anglais

method for lattice matched growth of semiconductor layers

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren zur herstellung von dotierten halbleiterschichten.

Anglais

process for manufacturing doped semiconductor layers.

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren zur behandlung heteroepitaktischer halbleiterschichten auf siliziumsubstraten

Anglais

method for processing heteroepitaxial semiconducting layers on silicon substrates

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren zur herstellung stickstoffhaltiger iii-v-halbleiterschichten

Anglais

method for fabrication of nitride containing iii-v semiconductor layers

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

niederschlag von amorphen halbleiterschichten mittels zweier ionenstrahlen.

Anglais

dual ion beam deposition of amorphous semiconductor films.

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

kristallisierung von dÜnnen halbleiterschichten mittels laser-doppelpulsen

Anglais

double-pulse laser crystallisation of thin semiconductor films

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

diethylberryllium-dotierungsquelle fÜr mocvd abgelagerte epitaxaiale halbleiterschichten.

Anglais

diethylberyllium dopant source for mocvd grown epitaxial semiconductor layers.

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 2
Qualité :

Référence: IATE

Allemand

verfahren zur abscheidung einer halbleiterschicht

Anglais

a method of growing a semiconductor layer

Dernière mise à jour : 2014-11-28
Fréquence d'utilisation : 4
Qualité :

Référence: IATE

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