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treiberschaltung nach anspruch 8, wobei die ersten und zweiten umschalttransistoren (nt1; nt2) aus mos-feldeffekttransistoren bestehen.
circuit de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdits premier et second transistors de commutation (nt1; nt2) sont constitués par des transistors à effet de champ mos.

verfahren nach einem der ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß an die gegenelektrode eine verschiebungs-gleichspannung angelegt wird, welche die mittlere verschiebung der schwellenspannungen der umschalttransistoren kompensiert.
procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'on applique sur la contre-électrode une tension continue de décalage compensant le décalage moyen des tensions de seuil des transistors de commutation.

schirm nach einem der ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn die umschalteinheit durch transistoren vom typ grille dessous gebildet ist, die masseebene mit einer spannung verbunden ist, die in der nähe der sperrspannung der umschalttransistoren liegt.
ecran selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que , lorsque le dispositif de commutation est constitué par un transistor du type grille dessous, le plan de masse est connecté à une tension proche de la tension de blocage des transistors de commutation.

die regelbare verzögerungszelle nach anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite ausschaltende steuerungssignal (vss) im wesentlichen ein festgelegtes ausschaltendes steuerungssignal ist. die regelbare verzögerungszelle nach anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite einschaltende steuerungssignal (vcont) ein variables einschaltbares steuerungssignal ist. die regelbare verzögerungszelle nach anspruch 1 umfasst ferner aus: einen eingangsschaltkreis, der jeweils ein erstes und ein zweites diffentialeingangssignal (vin-, vin+) als steuerungssignale für die ersten und zweiten umschalttransistoren (sw1, sw2) verwendet. die regelbare verzögerungszelle nach anspruch 12, ferner umfassend: einen ausgangsschaltkreis, der jeweils ein erstes und ein zweites differentialausgangssignal (vo+, vo-) ableitet und zwar von dem stromdurchlauf gesteuerten ersten und zweiten umschalttransistor (sw1, sw2).
cellule à retard variable selon la revendication 1, comprenant en outre : un circuit d'entrée qui applique respectivement les premier et second signaux différentiels d'entrée (vin-, vin+) comme signaux de commande aux premier et second transistors de commutation (sw1, sw2). cellule à retard variable selon la revendication 12, comprenant en outre : un circuit de sortie qui dérive respectivement des premier et second signaux différentiels de sortie (vo+, vo-) du courant d'électricité commandé par les premier et second transistors de commutation (sw1, sw2).