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gettering
getterung

intrinsic gettering
intrinsisches gettern

gaas polycristalline gettering.
gaas-polykristallinische getterung.

gettering treatment process.
getterprozess.

gettering apparatus and method.
struktur und verfahren zum gettern.

intrinsic gettering (ig) process
eigengatterverfahren

backside gettering of silicon wafers
verfahren zum gettern an der scheibenrückseite eines substrates aus silizium

method of gettering semiconductor devices.
verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen.

intrinsic gettering of a silicon substrate.
eigengetterung von einem siliziumsubstrat.

improvements in or relating to hydrogen gettering
verbesserungen für oder in bezug auf das gettern von wasserstoff

intrinsic gettering for a semiconducteur epitaxial wafer.
eigengetterung für ein epitaxiales halbleiterplättchen.

silicon on insulator structure having intrinsic gettering
silizium-auf-isolator struktur mit intrinsischem gettern

gettering device and system for a cathode ray tube.
gettereinrichtung und gettersystem für eine kathodenstrahlröhre.

laser process for gettering defects in semiconductor devices
verfahren zum gettern von defekten mittels eines lasers in halbleiteranordnungen

semiconductor substrate materials having enhanced gettering ability.
materialien für halbleitersubstrate mit möglichkeit zum gettern.

method and apparatus for improved gettering for reactant gases.
verfahren und vorrichtung zum "gettern" für reaktionsfähige gase.

internal gettering of oxygen in iii-v compound semiconductors.
interne getterung von sauerstoff in iii-v-verbindungshalbleitern.

mesoporous silica films with mobile ion gettering and accelerated processing
mesoporöse silikaschichten mit getterung von beweglichen ionen und beschleunigter verarbeitung

gettering device and picture display tube having such a gettering device.
gettervorrichtung und bildwiedergaberöhre mit einer derartigen gettervorrichtung.

method for realizing integrated electronic devices on semiconductor substrates having gettering centres
verfahren zur herstellung integrierter elektronischer bauelemente auf halbleitersubstraten mit getterungszentren