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the number nbma is selected in multiplexer mnb by s/a="0" and is written in memory mlc.
le nombre nbma est sélectionné dans le multiplexeur mnb par s/a = "0" et est écrit dans la mémoire mlc.
this read address adl of buffer memory block cell is equal to the write address of the same block ade and is transmitted each time the previous written block has to be read, such a read being reiterated contingent on the updated corresponding number nbma of the outgoing multiplex ways.
cette adresse de lecture adl de cellule de bloc de mémoire tampon est égale à l'adresse d'écriture du même bloc ade et est transmise chaque fois que le bloc écrit auparavant doit être lu, une telle lecture étant réitérée en fonction du nombre de multiplex sortants correspondant nbms ou nbma mis à jour.
an orthogonal process for photolithographic patterning organic structures is disclosed. the disclosed process utilizes fluorinated solvents or supercritical co2 as the solvent so that the performance of the organic conductors and semiconductors would not be adversely affected by other aggressive solvent. one disclosed method may also utilize a fluorinated photoresist together with the hfe solvent, but other fluorinated solvents can be used. in one embodiment, the fluorinated photoresist is a resorcinarene, but various fluorinated polymer photoresists and fluorinated molecular glass photoresists can be used as well. for example, a copolymer perfluorodecyl methacrylate (fdma) and 2-nitrobenzyl methacrylate (nbma) is a suitable orthogonal fluorinated photoresist for use with fluorinated solvents and supercritical carbon dioxide in a photolithography process. the combination of the fluorinated photoresist and the fluorinated solvent provides a robust, orthogonal process that is yet to be achieved by methods or devices known in the art.
l’invention concerne un procédé orthogonal de modelage photolithographique de structures organiques. le procédé divulgué utilise des solvants fluorés ou du co2 supercritique comme solvant de sorte que d’autres solvants agressifs n’aient pas d’incidence sur l’efficacité des conducteurs et semi-conducteurs organiques. un procédé divulgué peut également utiliser une résine photosensible fluorée conjointement avec le solvant hfe, mais d’autres solvants fluorés peuvent être utilisés. dans un mode de réalisation, la résine photosensible fluorée est un résorcinarène, mais diverses résines photosensibles polymères fluorées et résines photosensibles de verre moléculaire fluorées peuvent également être utilisées. par exemple, un copolymère méthacrylate de perfluorodécyle (fdma) et méthacrylate de 2-nitrobenzyle (nbma) est une résine photosensible fluorée orthogonale appropriée pour une utilisation avec des solvants fluorés et du dioxyde de carbone supercritique dans un procédé de photolithographie. la combinaison de la résine photosensible fluorée et du solvant fluoré donne un procédé orthogonal robuste qui n’est pas encore obtenu par des procédés ou dispositifs connus dans l’état de la technique.