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method for detecting redunded defective addresses in a memory device with redundancy comprising at least one memory register (rr1-rrn;rr1'-rrn') for storing at least one defective address, said memory register comprising a plurality of memory units (mu0-mu10) each one storing a defective address bit and comparing said defective address bit with a respective current address bit (a0-a10) of a current address supplied to the memory device, the memory register activating a respective redundancy selection signal (rs1-rsn;rsa1-rsan,rsb1-rsbn) when the current address coincides with the at least one defective address stored therein, characterized by providing for: a) activating a forcing signal (f) for forcing the activation of said redundancy selection signal to be independent of the coincindence of a first group (a0-a3) of current address bits, associated to a respective first group (g2) of said memory units, with the defective address bits stored in said respective first group (g2) of memory units; b) scanning all the possible configurations of a second group (a4-a10) of current address bits associated to a second group (g1) of said memory units and sequentially supplying the memory device with all said configurations; c) detecting a configuration of said second group (a4-a10) of current address bits for which said redundancy selection signal is activated; d) while supplying the memory device with said configuration of the second group (a4-a10) of current address bits, deactivating said forcing signal and sequentially supplying the memory device with a scanning of all the possible configurations of said first group (a0-a3) of address bits; e) detecting a configuration of said first group (a0-a3) of current address bits for which said redundancy selection signal is activated.
procédé de détection d'adresses défectueuses redondantes dans un dispositif de mémoire à redondance comprenant au moins un registre de mémoire (rr1-rrn ; rr1'-rrn') pour stocker au moins une adresse défectueuse, ledit registre de mémoire comprenant une pluralité d'unités de mémoire (mu0-mu10) stockant chacune un bit d'adresse défectueuse et comparant ledit bit d'adresse défectueuse avec un bit d'adresse courante respectif (a0-a10) d'une adresse courante fournie au dispositif de mémoire, le registre de mémoire activant un signal de sélection de redondance respectif (rs1-rsn ; rsa1-rsan, rsb1-rsbn) quand l'adresse courante coïncide avec la au moins une adresse défectueuse qui y est stockée, caractérisé par le fait de prévoir les opérations consistant à : a) activer un signal de forçage (f) pour forcer l'activation dudit signal de sélection de redondance pour être indépendant de la coïncidence d'un premier groupe (a0-a3) de bits d'adresse courante, associé à un premier groupe respectif (g2) desdites unités de mémoire, les bits d'adresse défectueuse étant stockés dans ledit premier groupe respectif (g2) d'unités de mémoire ; b) passer en revue toutes les configurations possibles d'un deuxième groupe (a4-a10) de bits d'adresse courante associé à un deuxième groupe (g1) desdites unités de mémoire et transmettre séquentiellement toutes lesdites configurations au dispositif de mémoire ; c) détecter une configuration dudit deuxième groupe (a4-a10) de bits d'adresse courante pour laquelle ledit signal de sélection de redondance est activé ; d) tout en transmettant ladite configuration du deuxième groupe (a4-a10) de bits d'adresse courante au dispositif de mémoire, désactiver ledit signal de forçage et transmettre séquentiellement au dispositif de mémoire une exploration de toutes les configurations possibles dudit premier groupe (a0-a3) de bits d'adresse ; e) détecter une configuration dudit premier groupe (a0-a3) de bits d'adresse courante pour laquelle ledit signal de sélection de redondance est activé.