Vous avez cherché: puolijohde (Finnois - Italien)

puolijohde
semiconduttore

kaksinapainen puolijohde
semiconduttore bipolare

p-tyypin puolijohde
semiconduttore tipo p

suoran energiavyön puolijohde
semiconduttore a intervallo diretto

pienenergia-alueen puolijohde
semiconduttore a banda proibita stretta

seuraavat puolijohde-"laserit":
"laser" a semiconduttore, come segue:

usekemiallinen alkoholi (6�11) puolijohde rasvahappo
use macchina per ufficio (6826) la se r macchina fotografica

seuraavat puolijohde ’laserit’ ja niiden komponentit:
“laser” a semiconduttore e loro componenti, come segue:

puolijohde ’lasereita’ kutsutaan yleisesti ’laser’ diodeiksi.
i “laser” a semiconduttore vengono chiamati comunemente diodi laser.

puolijohde ’laserien’ ryhmät, joiden lähtöteho on suurempi kuin 20 mw.
cortine di “laser” a semiconduttore con una potenza di uscita maggiore di 20 w.

erilliset puolijohde"laserien"-ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
allineamenti di "laser" a semiconduttore individuali aventi una delle caratteristiche seguenti:

erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:
"laser" a semiconduttore multimodo trasverso individuale aventi una delle caratteristiche seguenti:

puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
amplificatori a microonde a semiconduttore e assiemi/moduli a microonde contenenti amplificatori a microonde aventi una delle caratteristiche seguenti:

erilliset puolijohde ’laserit’, joista kunkin lähtöteho on suurempi kuin 200 mw ja joita on enemmän kuin 100
“laser” a semiconduttore singoli, ciascuno con una potenza di uscita maggiore di 200 mw, in quantità superiori a 100;

puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6a005.b.3 kohdan perusteella.
pile di allineamenti di "laser" a semiconduttore contenenti almeno un allineamento sottoposto ad autorizzazione in 6a005.b.3.

painopisteenä on kehittyneiden puolijohde-, optiikka- ja optoelektroniikkaprototyyppien, niihin liittyvien oem-komponenttien sekä puolijohteiden ja fotonisten laitteiden valmistuksessa käytettävien materiaalien käyttäjälähtöinen arviointi.
gli obiettivi consistono nello stimolare il riutilizzo e lo scambio di moduli di proprietà intellettuale (pi) e di accelerare l'uso di strutture configurabili quali le field programmable gate arrays (fpga).

1.2.7 mikroelektroniikka. elektroniikan ala, jolla kehitetään "yksittäisessä puolijohde-elementissä" toteutettuja erittäin pieniä integroituja piirejä. mikroelektroniikassa pystytään nykyisin toteuttamaan mittasuhteiltaan noin 0,1 mikrometrin tai 100 nanometrin suuruisia yksittäisiä komponentteja [5].
1.2.7 microelettronica. branca dell'elettronica che si occupa dello sviluppo di circuiti integrati, realizzati in una%quot%singola regione di semiconduttori%quot%, di dimensioni molto ridotte. ad oggi, la tecnologia microelettronica è in grado di realizzare singoli componenti con dimensioni di circa 0,1 micrometro, ovvero 100 nanometri [5].