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transistor en couche mince multigrille
multigate thin film transistor

transistor à effet de champ multigrille
multi-gate field-effect transistor

transistor multigrille et son procédé de fabrication
multi-gate transistor and method for manufacturing the same

transistor a effet de champ heterostructure multigrille
multi-gate heterostructured field effect transistor

dispositif multigrille À zones de contrainte en retrait
multigate device with recessed strain regions

composant triple grille ou multigrille À effet tunnel
triple-gate or multi-gate component based on the tunneling effect

il est semblable à l'approche multigrille vue plus loin.
it is similar to the multiple-grid approach seen further below.

procÉdÉ de production de dispositifs multigrille ultraminces À fuites rÉduites
method for forming ultra thin low leakage multigate devices

la configuration multigrille peut être une configuration à 2, 3 ou 4 grilles.
the multi-gate configuration can be a two-, three-, or four-gate configuration.

méthode de fabrication d'un transistor à couche mince avec multigrille
manufacturing method for a multigate thin film transistor

transistor multigrille a motifs actifs de dimension critique uniforme et procede de fabrication correspondant
multi-gate transistor formed with active patterns of uniform critical dimension and fabricating method therefor

dispositif a semi-conducteurs multigrille avec courant de canal vertical et son procede de fabrication
multigate semiconductor device and method of fabrication

oscillateur commande en tension pourvu d'un transistor multigrille et procede associe
voltage controlled oscillator with a multiple gate transistor and method therefor

la présente invention concerne des techniques pour appliquer une méthode algébrique multigrille à l'analyse de réseaux de circuits présentant des motifs de circuit irréguliers et réguliers
a technique is provided for applying an algebraic multigrid method to analysis of circuit networks with regular and irregular circuit patterns

en outre, ces transistors peuvent être monogrille ou multigrille (cas des mémoires eprom par exemple) à simples ou doubles jonctions.
in addition, these transistors may be monogrid or multigrid transistors (case of eprom memories, for example) with single or double junctions.

aux fins de l'invention, pour la fabrication d'un transistor multigrille, on établit au moins un motif actif de dimension critique uniforme
for fabricating a multi-gate transistor, at least one active pattern having uniform critical dimension is formed

aux fins de l'invention, pour la fabrication d'un transistor multigrille, on établit au moins un motif actif de dimension critique uniforme.
for fabricating a multi-gate transistor, at least one active pattern having uniform critical dimension is formed.

l'invention concerne un transistor à effet de champ hétérostructuré présentant une configuration multigrille, dans laquelle les tensions de grille sont polarisées individuellement afin de s'adapter au champ potentiel.
a heterostructured field effect transistor has a multi-gate configuration, in which the gate voltages are individually biased to tailor the potential field.

circuit logique (10) à fet selon la revendication 14, dans lequel ledit deuxième fet de charge (23) est un fet multigrille à seuil de fermi.
the fet logic circuit (10) of claim 14 wherein said second load fet (23) is a multigate fermi-threshold fet.

aux fins de l'invention, pour la fabrication d'un transistor multigrille, on établit au moins un motif actif de dimension critique uniforme. des structures épitaxiales sont développées à partir de parties exposées de motif actif. une zone de canal est établie sur le transistor à partir d'au moins deux surfaces de motif actif. la source et le drain sont constitués au moyen des structures considérées.
for fabricating a multi-gate transistor, at least one active pattern having uniform critical dimension is formed. epitaxy structures are grown from exposed portions of the active pattern. a channel region of the transistor is formed from at least two surfaces of the active pattern. source and drain are formed using the epitaxy structures.