Da traduttori professionisti, imprese, pagine web e archivi di traduzione disponibili gratuitamente al pubblico.
instituttets arbejde med oparbejdning og genanvendelse af avancerede brændsler, som hovedsagelig drejer sig om »front end« teknologier, danner grundlag for fremtidigt udviklingsarbejde i forskellige nationale laboratorier.
gli studi dell'istituto sul ritrattamento e la fabbricazione di combustibili avanzati, imperniati principalmente sulle tecnologie di entrata, costituiscono la base per futuri lavori di sviluppo in diversi laboratori nazionali.
kommunikationsenhederne (front-end 1 og 2, der normalt er selvstændige systemer i forhold til mam/rûme-maskinerne, skal være i overensstemmelse med env 41104.
il processore di comunicazioni, che abitualmente e' un sistema esterno al mainframe, deve essere conforme a env 41404.
kommunikationsprocessorerne (front end 1 og 2), der normalt er selvstændige systemer i forhold til ma¿/i/rome-maskinerne, skal være i overensstemmelse med env 41107.
il processore di comunicazioni, che e' solitamente un sistema estemo al mainframe, deve essere conforme a env 41107.
for det tredje : vi vil bekæmpe forureningen over en bredere front end den, der foreslås i direktivet om emissioner fra motorkøretøjer, dvs. vi må sætte ind på områderne: tunge køretøjer, dieseloliemotorer og nedsættelse af hastigheden.
nordmann (l). — (fr) a nome del gruppo liberale e democratico, desidero dichiarare che la lotta contro l'inquinamento industriale e contro tutte le altre forme di inquinamento che influenzano l'ambiente dei nostri concittadini e l'ambito quotidiano della nostra esistenza rappresenta un impellente obbligo, e che sul piano dei principi e degli obiettivi non può esservi contestazione possibile.
- front-end cmos til teknologi-kerner på eller under 70 nm; der fokuseres på transistorarkitekturer, der giver mulighed for lave sluk-spændinger, på alternative gate-materialer og på materialer med høj k til gate-isolatorer og kondensatorer;
cmos front-end per nodi tecnologici uguali o inferiori a 70 nm; l'attenzione è rivolta a transistor con architetture che consentano una bassa corrente di uscita, a materiali destinati ai gate alternativi e a materiali con elevato k per isolanti e accumulatori di gate.