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a ce sujet, on consultera le document suivant : (3) s. deleonibus et al. jecp décembre 1991, pages 3739 à 3742.
this procedure is described in the following document: (3) s. deleonibus et al. jepc december 1991, pages 3739 to 3742.
Ultimo aggiornamento 2014-12-03
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etat de la technique anterieure on connaît déjà un grand nombre de transistors mos latéraux (encore appelés « transistors mos plans ») . on connaît en particulier un transistor mos latéral à puits quantique (« quantum well latéral mos transistor ») , ayant une structure de type pseudo-soi, par le document suivant auquel on se reportera : demande internationale pct/fr97/01075 du 13 juin 1997, « transistor mos à puits quantique et procédés de fabrication de ce transistor », numéro de publication internationale 097/48135, invention de simon deleonibus, correspondant à la demande de brevet américain déposée le 12 février 1998, dont le numéro de série est 09/011,626.
state of prior art [0003] a large number of lateral mos transistors are already known (also called “flat mos transistors”). [0004] in particular, a quantum well lateral mos transistor, having a structure of pseudo-soi type, is known through the following document to which reference will be made: [0005] international application pct/fr97/01075 of jun. 13, 1997, “quantum well mos transistor and processes for fabricating this transistor” international publication number wo97/48135, invention by simon deleonibus, corresponding to american patent application filed on feb.
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