Hai cercato la traduzione di jex da Francese a Inglese

>. jex. >
>. jex. >

au tournant du 20 ème siècle, le britannique m. jex reconnaissait huit strates principales qui représentaient probablement des zones riches en fossiles.
around the turn of the 19th century, the englishman m. jex identified eight main layers that he thought represented the richest fossil zones.

l'invention porte sur une mémoire vive magnétique employant un renversement d'aimantation par transfert de spin qui est thermiquement stable durant une lecture et permet une réduction du courant durant l'écriture. un élément à effet magnétorésistif formé par empilement séquentiel d'une couche fixe, d'une couche barrière non magnétique et d'une couche d'enregistrement est utilisé en tant qu'élément de mémoire, et la couche d'enregistrement est composée d'une structure ferrimagnétique stratifiée. l'expression suivante est satisfaite : ms2(t/w)>ex(2kbtΔ)/s dans laquelle kb est la constante de boltzmann, t est la température de fonctionnement de la mémoire magnétique, s est une aire parallèle au plan du film de l'élément à effet magnétorésistif, t et ms sont respectivement l'épaisseur et l'aimantation de saturation d'une couche ferromagnétique ayant la plus petite épaisseur parmi deux couches ferromagnétiques composant la structure ferrimagnétique stratifiée, w est la longueur d'un petit côté de la couche d'enregistrement, Δ est l'exposant de stabilité thermique de la mémoire magnétique et jex est une énergie de couplage d'échange appliquée entre les deux couches ferromagnétiques de la couche d'enregistrement.
provided is a magnetic random access memory employing spin torque magnetization reversal which is thermally stable during reading and achieves a reduction in current during writing. a magnetoresistive effect element formed by sequentially stacking a fixed layer, a nonmagnetic barrier layer, and a recording layer is used as a memory element, and the recording layer is composed of a laminated ferri-structure. the following expression is satisfied: ms2(t/w)>ex(2kbtΔ)/s where kb is a boltzman constant, t is the operating temperature of the magnetic memory, s is an area parallel to the film plane of the magnetoresistive effect element, t and ms are respectively the thickness and saturation magnetization of a ferromagnetic layer with a smaller thickness out of two ferromagnetic layers composing the laminated ferri-structure, w is the length of a shorter side of the recording layer, Δ is the thermal stability exponent of the magnetic memory, and jex is exchange coupling energy applied between the two ferromagnetic layers of the recording layer.