Imparare a tradurre dagli esempi di traduzione forniti da contributi umani.
Da traduttori professionisti, imprese, pagine web e archivi di traduzione disponibili gratuitamente al pubblico.
frongillo ea, rauschenbach bs, olson cm, et al.
frongillo ea, rauschenbach bs, olson cm, kendall a, colmenares ag.
Ultimo aggiornamento 2015-05-14
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
après la retraite de claudia rauschenbach, robin fut sans partenaire pendant un an et demi.
after rauschenbach retired, szolkowy was unable to find a new skating partner for a year and a half.
Ultimo aggiornamento 2016-03-03
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
== biographie ==claudia rauschenbach est la fille d'anett pötzsch et axel witt, le frère de katarina witt.
she is the daughter of anett pötzsch and axel witt and the stepdaughter of axel rauschenbach.
Ultimo aggiornamento 2016-03-03
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
on connaît par ailleurs, par l'article « ion implantation into gan » de s.o. kucheyev, j.s. williams, s.j. pearton in materials science and engineering, 33 (2001) 51-107 ou par l'article «ion implantation in gan at liquid-nitrogen temperature: structural characteristics and amorphization » de c. liu, b. mensching, m. zeitler, k. volz and b. rauschenbach in physical review b de the american physical society, 1998, vol 57, n° 4, pp. 2530-2535 , qu'une implantation d'ions au ou ar dans du gan a divers avantages, notamment en ce qu'elle permet d'implanter une impureté bien définie, à une profondeur bien définie, dans un substrat ; on peut ainsi, notamment, réaliser des dopages précis ou isoler électriquement des volumes précis, ou encore provoquer localement la formation d'inclusions appropriées.
the paper “ion implantation into gan” by s. o. kucheyev, j. s. williams, s. j. pearton in materials science and engineering, 33 (2001) 51-107 and the paper “ion implantation in gan at liquid-nitrogen temperature: structural characteristics and amorphization” by c. liu, b. mensching, m. zeitler, k. volz and b. rauschenbach in physical review b of the american physical society, 1998, vol 57, n° 4, pp. 2530-2535, disclose that implanting au or ar ions in gan has various advantages, in particular that it enables a well-defined impurity to be implanted at a well-defined depth in a substrate; in particular, it is therefore possible to effect precise doping or to insulate precise volumes electrically or to cause the localized formation of appropriate inclusions.
Ultimo aggiornamento 2014-12-03
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità: