Hai cercato la traduzione di lithographiquement da Francese a Tedesco

unités d'éjection définies lithographiquement.
lithographisch definierte strahleinheiten.

le substrat thermoplastique imprimable lithographiquement selon la revendication 7, dans lequel le substrat de polyoléfine comprend le polypropylène à orientation biaxiale.
mit lithographiedruck bedruckbares thermoplastisches substrat nach anspruch 7, wobei das polyolefinsubstrat biaxial orientiertes polypropylen umfaßt.

le substrat thermoplastique imprimable lithographiquement selon la revendication 8, dans lequel le polypropylène à orientation biaxiale est traitée superficiellement, pour améliorer les propriétés de surface, par une décharge corona ou par un traitement à la flamme.
mit lithographiedruck bedruckbares thermoplastisches substrat nach anspruch 8, wobei das biaxial orientierte polypropylen einer oberflächenbehandlung durch coronaentladung oder flammbehandlung unterzogen wurde, um die oberflächeneigenschaften zu verbessern.

appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les guide-onde d'émission de lumière sont des guide-onde définis lithographiquement.
eine vorrichtung gemäß einem der ansprüche 1 bis 7, bei der die lichtsendewellenleiter und die lichtempfangswellenleiter lithographisch definierte wellenleiter sind.

procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à couches minces (10) sur un substrat transparent (14), dans lequel le matériau photorésistant est exposé à l'aide de lumière lithographiquement active qui traverse les couches successives du dispositif semiconducteur dont au moins une à une propriété d'absorption de la lumière, comprenant: le dépôt d'une électrode de porte (12) sur ledit substrat transparent (14), le dépôt d'au moins une couche isolante transparente (16, 18) sur ledit substrat (14) et ladite électrode de porte (12) avec un indice de réfraction différent de celui dudit substrat et ayant une épaisseur dont la dimension est choisie pour que les composantes d'onde de ladite lumière lithographiquement active réfléchie aux interfaces de la structure achevée interfèrent de façon destructive afin de rendre minimale la réflectance et maximale la transmission de ladite lumière lithographiquement active, le dépôt d'une mince couche semiconductrice perméable à la lumière (20) sur ladite couche isolante transparente (16, 18) qui a une propriété d'absorption de la lumière, l'application d'un matériau photorésistant (30) sur ladite couche semiconductrice (20), et l'exposition de ladite couche photorésistante (30) par la lumière photolithographiquement transmise dans ledit substrat, ladite au moins une couche isolante transparente (16, 18) et ladite couche semiconductrice (20).
verfahren zur herstellung einer dünnschichthalbleitervorrichtung (10) auf einem durchsichtigen substrat (14), wobei ein photolack mit lithographisch wirksamen licht belichtet wird, das durch die hintereinander liegenden schichten der halbleitervorrichtung dringt, von denen wenigstens eine eine lichtabsorbierende eigenschaft aufweist, wobei dieses verfahren umfaßt: absetzen einer gate-elektrode (12) auf diesem durchsichtigen substrat (14); absetzen wenigstens einer durchsichtigen isolierschicht (16, 18) auf diesem substrat (14) und der gate-(12)-elektrode mit einem brechungsindex, der sich von dem des substrats unterscheidet, und in einer dicke, daß die wellenkomponenten des lithographisch aktiven lichts, das an den schnittstellen der kompletten struktur reflektiert wird, sich durch interferenz auslöschen, so daß das reflexionsvermögen minimiert und die Übertragung des lithographisch aktiven lichts maximiert wird; absetzen einer dünnen, lichtdurchlässigen halbleiterschicht (20) auf diese durchsichtige isolierschicht (16, 18), die eine lichtabsorbierende eigenschaft hat; auftragen einer photolackschicht (30) auf der halbleiterschicht (20); und belichten dieser photolackschicht (30) mit dem übertragenen lithographisch wirksamen licht durch das substrat, diese mindestens eine durchsichtige isolierschicht (16, 18) und die halbleiterschicht (20).