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simulation de cellules à mémoire pour la génération d'une tension de référence pour mémoires semiconductrices en technologie mtl.
speicherzellennachbildung zur referenzspannungserzeugung für halbleiterspeicher in mtl-technik.
circuit comportant au moins deux dispositifs semi-conducteurs en technologie mtl présentant des temps de montée différents et circuits logiques en dérivant.
schaltungsanordnung mit mindestens zwei verschiedene anstiegszeiten aufweisenden halbleitervorrichtungen in mtl-technologie und davon abgeleitete logische schaltungen.
procédé et circuit sélection et de décharge des capacités de lignes de bit d'une mémoire mtl à semi-conducteurs à haute intégration.
verfahren und schaltungsanordnung zur selektion und entladung der bitleitungskapazitäten für einen hochintegrierten mtl halbleiterspeicher.
1 mtl = _bar_ 2,31357 _bar_ 70,1107 _bar_ 17,2140 _bar_ 36,1994 _bar_ 1,34581 _bar_ 1,61101 _bar_ 7,98827 _bar_ 570,254 _bar_ — _bar_ 9,43799 _bar_ 554,728 _bar_ 89,2416 _bar_ 20,9322 _bar_ 1,61641 _bar_ 19,0002 _bar_ 189,989 _bar_ 3,57880 _bar_
1 mtl = _bar_ 2,31357 _bar_ 70,1107 _bar_ 17,2140 _bar_ 36,1994 _bar_ 1,34581 _bar_ 1,61101 _bar_ 7,98827 _bar_ 570,254 _bar_ — _bar_ 9,43799 _bar_ 554,728 _bar_ 89,2416 _bar_ 20,9322 _bar_ 1,61641 _bar_ 19,0002 _bar_ 189,989 _bar_ 3,57880 _bar_