Hai cercato la traduzione di occures da Inglese a Francese

how it occures
dilatation de la voie

here the hearniation occures in the epigastrium.
voici la hearniation a lieu dans la région épigastrique.

if a substantial gain or loss of weight occures
en cas de perte ou de prise de poids importante

this error typically occures in case of incomplete downloads.
cette erreur est typique d'un téléchargement incomplet.

this occures when the whole portion of the intestine is protruded in to the hernial sac.
ceci a lieu lorsque toute la partie de l'intestin fait saillie dans le sac herniaire.

the attribute xmlns defines the default namespace which is used for the element where it occures and for its children and descendants.
l'attribut xmlns défini l'espace de noms par défaut d'un élément où il intervient et pour tous ses enfants et descendants.

riders doing so should know that this is part of their own responsibility.the bib distribution will occures on the night before or during the day 1.
la remise des dossards aura lieu le soir avant ou le jour même du day 1.

so if an error occures, or if there is no more data to play, you can return false. returning false will immediately stop the stream.
ainsi si une erreur survient, ou s'il n'y a plus de données audio à jouer, vous pouvez renvoyer false. renvoyer false stoppera immédiatement la lecture du flux.

if any errors while [re]compilation occures, error method is called (by default error raises exception - see below)
si une erreur survient durant la [re]compilation, une méthode d'erreur est appelée (par défaut une erreur d'exception est levée - voir plus bas).

when a positive esd event occures, a depletion zone is created in the p-well between the n-type buried structures and the n-type structures thereby increasing the resistivity of the structure
en cas de décharge positive, une zone de déplétion est établie dans le puits p entre les structures enterrées de type n et les structures de type n, ce qui augmente la résistivité de la structure

an esd nmos structure with an odd number of n-type structures (4a-4g) built into a p-type well (6) uried n-type structures (nbl) are positioned between the n-type structures. the center n-type structure and each alternate n-type structure are electrically connected to each other, to the buried n-type structures, and to the ouptut contact (14); while the other n-type structures are electrically connected to each other and the p-well and to ground (10). when a positive esd event occures, a depletion zone is created in the p-well between the n-type buried structures and the n-type structures thereby increasing the resistivity of the structure. moreover, when a positive esd event occurs, the lateral npn transistors on either side of the center n-type structure break down and snap back. the resulting current travels through the area of increased resistively and thereby creates a larger voltage along the p-well from the center n-type structre out toward the distal n-type structures. the combination of the increased resistivity and the higher voltage act in combination to lower the triggering voltage of the esd structure.
l'invention concerne une structure nmos anti-décharge à nombre impair de structures de type n (4a-4g) constituant un puits de type p (6). des structures enfouies de type n sont placées entre les structures de type n. la structure centrale de type n et chacune des structures alternées de type n sont reliées électriquement, entre elles, aux structures enterrées de type n, et au contact de sortie (14); les autres structures de type n sont reliées électriquement, entre elles, au puits p, et à la terre (10). en cas de décharge positive, une zone de déplétion est établie dans le puits p entre les structures enterrées de type n et les structures de type n, ce qui augmente la résistivité de la structure. de plus, toujours en cas de décharge positive, les transistors npn latéraux de chaque côté de la structure centrale de type n sont le siège d'une rupture puis d'une récupération. le courant résultant circule dans la zone de résistivité accrue et induit une tension plus élevée le long du puits p, depuis la structure centrale de type n vers les structures distales de type n. la combinaison de résistivité accrue et de tension plus élevée abaisse la tension de déclenchement de la structure anti-décharge.