Da traduttori professionisti, imprese, pagine web e archivi di traduzione disponibili gratuitamente al pubblico.
nominal
nominālais
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
nominal …
nomināla …
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
(nominal)
(nomināli)
Ultimo aggiornamento 2017-04-06
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
nominal and current prices — including monetary ination; real prices — monetary ination deducted.
nominālās un pašreizējās cenās ir iekļauta monetārā inācija, no faktiskās cenas monetārā inācija ir atskaitīta.
when analysing the measurements, parts with a pantograph current below 30 % of the nominal current of the pantograph shall be disregarded.
analizējot mērījumus, neņem vērā detaļas ar pantogrāfa strāvu, kas zemāka nekā 30 % no pantogrāfa nominālās strāvas.
another possible criterion is the number of arcs per km with a pantograph current greater than 30 % of the nominal current. note 2:
vēl viens iespējams kritērijs ir loku skaits vienā kilometrā, kad pantogrāfa strāva ir lielāka nekā 30 % no nominālās strāvas.
to get representative results for the overhead contact line the total time with a pantograph current greater than 30 % of the nominal current should not be shorter than the time taken to travel over one tension length.
lai iegūtu reprezentatīvus rezultātus kontaktstrāvas līnijai, kad pantogrāfa strāva ir lielāka nekā 30 % no nominālās strāvas, kopējais laiks nedrīkst būt īsāks par laiku, kas izmantots viena spriegojuma garuma šķērsošanai.
lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm2 of projection area and a nominal current density of at least 1 a/mm2 of silicon chip area
svins lodmetālā siltuma novadītāju pielodēšanai dzesētājam spēka pusvadītāju ierīcēs ar čipa projekcijas izmēru vismaz 1 cm2 un nominālo strāvas blīvumu vismaz 1 a/mm2 silīcija čipa laukumā
8(h) lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm2 of projection area and a nominal current density of at least 1 a/mm2 of silicon chip area
h svins lodmetālā siltuma novadītāju pielodēšanai dzesētājam spēka pusvadītāju ierīcēs ar čipa projekcijas izmēru vismaz 1 cm2 un nominālo strāvas blīvumu vismaz 1 a/mm2 silīcija čipa laukumā