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Italiano

Svedese

Informazioni

Italiano

mos

Svedese

mos

Ultimo aggiornamento 2013-12-11
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Riferimento: Wikipedia

Italiano

geni mos

Svedese

mos-gener

Ultimo aggiornamento 2014-12-09
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: Wikipedia
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Italiano

memoria mos

Svedese

mos-minne

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

resistore a mos

Svedese

mos-resistor

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

porta nand a mos

Svedese

nand-grind i mos-teknik

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

instabilita dei transistori mos

Svedese

mos-instabilitet

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

transistore mos d'amplificazione

Svedese

mos-transistorförstärkare

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

circuito logico dinamico a mos

Svedese

dynamisk mos-logikkrets

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

circuito equivalente della capacita mos

Svedese

ekvivalentschema för mos-kondensator

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

circuito integrato a transistori mos/bipolari

Svedese

hybridkrets med mos- och bipolärtransistorer

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

transistore mos a effetto di campo a incremento

Svedese

mos-fälteffekttransistor av anrikningstyp

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

scarica disruptiva tra pozzo e sorgente in un transistore mos

Svedese

punch-through-genombrott i mos-transistor

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

transistore mos a effetto di campo a canale n a incremento

Svedese

n-kanals mos-transistor av anrikningstyp

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

transistore mos a effetto di campo a canale n a carica spaziale

Svedese

n-kanals mos-transistor av utarmningstyp

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

il risultato corrisponde al cosiddetto margine di sicurezza (mos).

Svedese

resultatet är den så kallade säkerhetsmarginalen.

Ultimo aggiornamento 2014-11-06
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Riferimento: IATE

Italiano

È istituito un dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti elettronici integrati noti come dram (dynamic random access memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (mos), compresi tipi di mos complementari (cmos), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della repubblica di corea.

Svedese

en slutgiltig utjämningstull skall införas på import av vissa elektroniska integrerade kretsar av dram-typ, tillverkade med hjälp av olika varianter av metallhalvledarteknik (mos) inbegripet komplementära mos-typer (cmos), av alla typer, tätheter och variationer, oavsett åtkomsttid, konfiguration, ramar eller kapsling m.m., med ursprung i sydkorea.

Ultimo aggiornamento 2014-11-18
Frequenza di utilizzo: 6
Qualità:

Riferimento: IATE

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