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niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (mosfet (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of igbt (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en
tres salidas eléctricas, como máximo, cada una de las cuales incluye dos interruptores eléctricos mosfet (transistor de efecto de campo de óxido de metal semiconductor - metal oxide semiconductor field-effect transistor) o igbt (transistor bipolar de puerta aislada - insulated gate bi-polar transistors)) y controles (drives) internos, y