Hai cercato la traduzione di kdp da Tedesco a Francese

der präsident kommt aus der kdp und der vizepräsident aus der puk.
il choisit donc encore un système complexe qui risque d'être mal compris par les citoyens.

iran wiederum behauptete, eine untergruppe der kdp habe vom nordirak aus Überfälle auf iranisches staatsgebiet vorbereitet.
l' iran, pour sa part, a prétexté des attaques organisées sur son territoire par un groupe du pkk à partir du nord de l' irak.

sie schlägt auch vor, daß sie sich für eine vermittlung zwischen den kurdischen parteien puk und kdp anbieten sollen.
elle demande à la commission d' adopter une position commune à ce sujet, et suggère une médiation entre les partis kurdes pdk et upk.

impulsgenerator gemäß anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrooptische polarisationsumschalter auf kdp, ktp oder lineo₃ basiert.
générateur d'impulsion selon la revendication 1, caractérisé en ce que le commutateur électro-optique de polarisation est à base de kdp, ktp ou de linb0 3.

die kdp kontrolliert jetzt den größten teil von irakisch kurdistan und soll jetzt eine amnestie erlassen und dem parlament gestattet haben, sich zu einer sitzung zusammenzufinden, nachdem es zwei jahre lang paralysiert war.
le kdp contrôle à présent la majorité du kurdistan irakien. il a apparemment promulgué l' amnistie et autorisé le parlement à se réunir après deux ans de paralysie.

ein verfahren zum herstellen einer zweite-harmonische-welle-erzeugungseinrichtung, die einen wellenleiter umfaßt, wobei das verfahren umfaßt: (a) ausbilden eines doppelbrechenden einkristalldünnfilms aus einem material, das ausgewählt ist aus der gruppe, die aus linbo3, α-quarz, sr 0,25 ba 0,75 nb₂o₆ (sbn25), ktiopo₄ (ktp), β-bab₂o₄ (bbo), kb₅o₈·4h₂o (kb₅), kh₂po₄ (kdp), kd₂po₄ (kd*p), nh₄h₂po₄ (adp), c₅h₂aso₄ (cda), c₅d₂aso₄ (cd*a), rbh₂po₄ (rdp), rbh₂aso₄ (rda), beso₄·4h₂o, liclo₄·3h₂o, liio₃, α-licdbo₃, lib₃o₅ (lbo), harnstoff, poly-p-nitroanilin (p-pna), polydiacetylen (dch), 4-(n,n-dimethylamino)-3-acetamidonitrobenzol (dan), 4-nitrobenzaldehydhydrazin (nbah), 3-methoxy-4-nitrobenzaldehydhydrazin und 2-methyl-4-nitroanilin (mna) besteht, auf einem substrat, das aus einem material hergestellt ist, welches aus der gruppe ausgewählt ist, die aus litao₃, sio₂, aluminiumoxid, nd₃ga₅o₁₂, ktp, bbo, lbo, kdp, oder dergleichen, sodaglas, borsilicatglas und polymethylmethacrylat (pmma) besteht; und (b) trockenätzen des dünnfilms, wodurch die dicke des films eingestellt wird, um eine dünnfilmwellenleiterschicht auszubilden, die die folgende gleichung (a) oder (b) erfüllt, wenn (n of1 - n os1 ) (n ef2 - n es2 ) > 2 0,02 ≦ ( λ + 0,1)n₁ λ³t ≦ 6,0 oder wenn (n of1 - n os1 ) (n ef2 - n es2 ) ≦ 2 0,05 ≦ ( λ + 0,1)n₂ λ³t ≦ 5,0 worin tµm: eine dicke der dünnfilmwellenleiterschicht λµm: eine laser-grundwellenlänge n os1 : eine ordentliche brechungszahl des substrats bei der grundwellenlänge (λµm) n of1 : eine ordentliche brechungszahl der dünnfilmwellenleiterschicht bei der grundwellenlänge (λµm) n es2 : eine außerordentliche brechungszahl des substrats bei einer zweite-harmonische-wellenlänge (λµm/2) n ef2 : eine außerordentliche brechungszahl der dünnfilmwellenleiterschicht bei der zweite-harmonische-wellenlänge (λµm/2) n₁ in gleichung (a) ist n₁ = (n ef2 - n es2 ) (n of1 - n es2 ) und n₂ in gleichung (b) ist n₂ = (n ef2 - n es2 ) (n of1 - n os1 ).
méthode de fabrication d'un dispositif de génération d'onde de seconde harmonique comprenant un guide d'ondes, ladite méthode comprenant : (a) la formation d'un film mince biréfringent monocristallin d'une matière choisie dans le groupe composé de linbo₃, α-quartz , sr 0,25 ba 0,75 nb₂o₆ (sbn25), ktiopo₄ (ktp), β-bab₂o₄ (bbo), kb₅o₈.4h₂o (kb₅), kh₂po₄ (kdp), kd₂po₄ (kd*p), nh₄h₂po₄ (adp), c₅h₂aso₄ (cda), c₅d₂aso₄, (cd*a), rbh₂po₄ (rdp), rbh₂aso₄ (rda), beso₄.4h₂o, liclo₄.3h₂o, liio₃, α-licdbo₃, lib₃o₅ (lbo), urée, poly-p-nitroaniline (p-pna), polydiacétylène (dch), 4-(n,n-diméthylamino)-3-acétamidonitrobenzène (dan), 4-nitrobenzaldéhyde-hydrazine (nbah), 3-méthoxy-4-nitrobenzaldéhyde-hydrazine, et 2-méthyl-4-nitroaniline (mna), sur un substrat en une matière choisie dans le groupe composé de litao₃, sio₂, alumine, nd₃ga₅o₁₂, ktp, bbo, lbo, kdp ou analogue, verre sodique, verre au borosilicate et polyméthylméthacrylate (pmma) ; et (b) l'attaque à sec dudit film mince de sorte que l'épaisseur dudit film est ajustée pour former une couche de guide d'ondes à film mince satisfaisant à l'equation (a) ou (b) suivante lorsque (n of1 - n os1 ) (n ef2 - n es2 ) > 2 0.02 ≦ ( λ + 0.1)n₁ λ³t ≦ 6.0 ou bien, lorsque (n of1 - n os1 ) (n ef2 - n es2 ) ≦ 2 0.05 ≦ ( λ + 0.1)n₂ λ³t ≦ 5.0 dans lesquelles tµm : épaisseur de la couche de guide d'ondes à film mince λµm : longueur d'onde laser fondamentale n os1 : indice de réfraction ordinaire du substrat à la longueur d'onde fondamentale (λµm) n of1 : indice de réfraction ordinaire de la couche de guide d'ondes à film mince, à la longueur d'onde fondamentale (λµm) n es2 : indice de réfraction extraordinaire du substrat à une longueur d'onde de seconde harmonique (λµm/2) n ef2 : indice de réfraction extraordinaire de la couche de guide d'ondes à film mince, à la longueur d'onde de seconde harmonique (λµm/2). n₁ dans l'equation (a) est n₁ = (n ef2 - n es2 ) (n of1 - n es2 ) et n₂ dans l'equation (b) est n₂ = (n ef2 - n es2 ) (n of1 - n os1 ).