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eintransistor

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Tedesco

Inglese

Informazioni

Tedesco

eintransistor-eeprom-zelle.

Inglese

single-transistor-eeprom-cell.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

eintransistor vorschaltgerÄt fÜr gasentladungslampen.

Inglese

single transistor ballast for gas discharge lamps.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

eintransistor-dram-zellenstruktur und herstellungsverfahren

Inglese

one transistor dram cell structure and method for forming

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

eintransistor-eprom-flash-zelle.

Inglese

one transistor flash eprom cell.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

dynamischer eintransistor-speicher mit wahlfreiem zugriff

Inglese

one-transistor dynamic random-access memory

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

nichtflÜchtige elektrisch verÄnderbare eintransistor-halbleiterspeicheranordnung mit rekristallisiertem schwebendem gate.

Inglese

single transistor non-volatile electrically alterable semiconductor memory device with a re-crystallized floating gate.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

verfahren zur erzeugung einer eintransistor-speicherzelle in doppelsilizium-technik

Inglese

method of producing a one-transistor memory cell employing the double silicon layer technique

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

da von speichergeneration zu speichergeneration die speicherdichte zunimmt, muß die benötigte fläche der eintransistor-speicherzelle von generation zu generation reduziert werden.

Inglese

since the storage density increases from memory generation to memory generation, the required area of the single-transistor memory cell must be reduced from generation to generation.

Ultimo aggiornamento 2014-12-03
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

niederspannungs-eintransistor-flash-eeprom-zelle mit fowler-nordheim programmier- und löschung

Inglese

low voltage one transistor flash eeprom cell using fowler-nordheim programming and erase

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Tedesco

niederspannungs-eintransistor-flash-eeprom-zelle unter verwendung von fowler-nordheim-programmierung und -lÖschung

Inglese

low voltage one transistor flash eeprom cell using fowler-nordheim programming and erase

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

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